"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле
Михайлова М.П.1, Березовец В.А.1,2, Парфеньев Р.В.1, Данилов Л.В.1, Сафончик М.О.1, Hospodkova A.3, Pangrac J.3, Hulicius E.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland
3Institute of Physics, CAS, v.v.i., Praha, Czech Republic
Email: mikh.iropt1@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Вертикальный транспорт исследован в гетеропереходах II типа с двухбарьерной квантовой ямой AlSb/InAs/GaSb/AlSb, выращенной методом МОГФЭ (MOVPE) на подложке n-InAs(100), в квантующих магнитных полях до B=14 Тл при низких температурах, T=1.5 и 4.2 K. Ширина квантовых ям выбиралась из условия получения инвертированной зонной структуры. Измерения осцилляций Шубникова-де-Гааза проводились при двух ориентациях магнитного поля (перпендикулярной и параллельной) относительно плоскости структуры. Установлено, что проводимость в исследуемой структуре осуществлялась как трехмерными (3D) электронами подложки, так и двумерными (2D) электронами квантовой ямы InAs в условиях квантового предела для объемных электронов (B>5 Tл). Определены концентрации электронов в подложке и в квантовой яме InAs, а также g-фактор для трехмерных носителей из спинового расщепления нулевого уровня Ландау. Показано, что максимумы кондактанса в магнитном поле, перпендикулярном плоскости структуры и параллельном току через структуру, в полях B>9 Тл соответствуют резонансному туннелированию 3D электронов из подложки-эмиттера в квантовую яму InAs через 2D электронные состояния уровней Ландау. DOI: 10.21883/FTP.2017.10.45019.8598
  • Y. Naveh, B. Laikhtman. Appl Phys. Lett., 66, 1980 (1995)
  • H. Kroemer. Physica E, 20, 196 (2004)
  • A. Zakharova, S.T. Yen, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 64, 235332 (2001); Phys. Rev. B, 66, 085312 (2002)
  • L.L. Chang. J. Phys. Soc. Jpn., 49, Suppl. A, 997 (1980)
  • M.Y. Yang, C.H. Yang, B.R. Bennet, B.V. Shanabrook. Phys. Rev. Lett., 78, 4613 (1997)
  • C. Liu, T.L. Hughes, X.L. Qi, K. Wang, S. Zhang. Phys. Rev. B, 81, 236601 (2008)
  • I. Knez, R.R. Du, G. Sullivan. Phys. Rev. B, 81, 201301 (2010)
  • I. Knez, C.T. Rettner, S.-H. Yang, S.S.P. Parkin, L. Du, R.-R. Du, G. Sullivan. Phys. Rev. Lett., 112, 026602 (2014)
  • L. Du, I. Knez, G. Sullivan, R.R. Du. Phys. Rev. Lett., 114, 096802 (2015)
  • F. Nichele, A.N. Pal, P. Pietsch, I. Ihn, K. Enslin, C. Charpenter, W. Wegscheider. Phys. Rev. Lett., 112, 036802 (2014)
  • X. Shi, W. Yu, Zh. Jiang, B.A. Bernving et al. arXiv: 1410.7342.v3 [cond-mat.supr-cond].20.Nov.2014
  • M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9 (7), 1279 (1994)
  • K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, V.I. Nizhankovski, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. Surf. Sci., 482, 1083 (2001)
  • M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)
  • R.V. Parfeniev, K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, N.S. Averkiev, M.P. Mikhailova, V.I. Nizhankovski, D. Kaczorovsky. J. Magn. Mater., 321 (7), 712 (2009)
  • V.A. Berezovets, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev, V.I. Nizhankovski. Low. Temper. Phys., 33 (2-3), 137 (2007)
  • N.S. Averkiev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, V.I. Nizhankovski, R.V. Parfeniev, K.S. Romanov. Phys. Solid-State, 46 (11), 2153 (2004)
  • A. Nogaret, M.A. Maldonado, R.E. Carnahan, K.P. Martin, R.J. Higgins. Phys. Rev. B, 47 (20), 13872 (1993)
  • E. Mendez, J. Nocera, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 45, 3910 (1992)
  • D.J. Barnes, R.J. Nickolas, R.J. Warburton, N.J. Mason, P.Y. Walker, N. Miura. Phys. Rev. B, 49 (15), 10474 (1994)
  • E.E. Mendez, J. Nocera. Phys. Rev. B, 47 (20), 13937 (1993)
  • X.X. Liu, R.R. Marquardt, D.Z.-Y. Ting, T.C. McGill. Phys. Rev. B, 55, 7073 (1997)
  • D. Kindl, J. Touskova, E. Hulicius, J. Pangrac, T. vSimecek, V. Jurka, P. Hubik, J.J. Mares, J. Kristofic. J. Appl. Phys., 95 (4), 1811 (2004)
  • M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, L.V. Danilov, K.V. Kalinina, N.D. Stoyanov, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova. J. Appl. Phys., 112, 023108 (2012)
  • A. Hospodkova, E. Hulicius, J. Pangrac, F. Dominec, M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman. J. Cryst. Growth, 464, 206 (2017)
  • L.L. Chang, N.J. Kawai, E.E. Mendez, C.-A. Chang, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 38, 30 (1981)
  • M. Altareli, J.C. Maan, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B, 35, 189867 (1987)
  • E.E. Mendez, L. Esaki, W.I. Wang. Phys. Rev. B, 33 (4), 2893 (1985)
  • M.P. Mikhailova, A.I. Veinger, I.V. Kochman, P.V. Semenikhin, K.V. Kalinina, R.V. Parfeniev, V.A. Berezovets, M.O. Safonchik, A. Hospodkova, J. Pangrac, M. Zikova, E. Hulicius. J. Nanophoton., 10 (4), 046013 (2016)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.