Электронно-лучевая диагностика зондирования приповерхностной области сверхмелких p⁺-n-переходов электронами малых и средних энергий используется для изучения влияния кристаллографической ориентации кремниевых пластин в механизмах неравновесной диффузии бора. Проводится сравнительный анализ энергетических зависимостей коэффициента радиационной проводимости, а также его распределений по площади p⁺-n-переходов, полученных в кремниевых пластинах с ориентациями (111) и (100). Данная методика позволяет определить распределение по глубине кристалла вероятности разделения электронно-дырочных пар полем p-n-перехода, которое, как показывают результаты эксперимента, является различным для p⁺-n-переходов, полученных при доминировании kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов примесей диффузии в Si(111) и Si(100). Обнаружено, что механизм диффузии типа kick-out резко усиливается в кристаллографическом направлении [111], тогда как направление [100] благоприятно для диффузии бора в кремнии в условиях доминирования вакансионных механизмов. Показано, что собирание неравновесных носителей в поле p⁺-n-перехода может резко усилиться, если диффузионный профиль состоит из определенных комбинаций продольных и поперечных квантовых ям.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.