p⁺-n-структуры на Si n-типа проводимости с концентрацией легирующей примеси 1.7·10¹³-1.2·10¹⁴ см^-3 облучались alpha-частицами ²³⁸Pu. На глубине 20 мкм создавался слой, содержащий радиационные дефекты с концентрацией порядка 3·10¹³ см^-3. Такая плотность дефектов обусловила интенсивный сток неравновесных носителей в режиме инжекции-экстракции при стационарной инжекции, а также при импульсной генерации одиночными частицами. Это позволяет рассматривать поврежденный слой как внесенную в объем плоскость с бесконечной скоростью поверхностной рекомбинации. Радиационные дефекты участвовали также в уменьшении проводимости. При обратном смещении в структуре наблюдаются характерное распределение объемного заряда и, соответственно, зависимость емкости от смещения. Несмотря на наличие формально 3 областей заряда, на кривой емкости проявляются 4 участка. Последнее связано с "дополнительной" ступенью заряда, возникающей в поле контактной разности потенциалов и присущей компенсированным глубокими уровнями полупроводникам.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.