Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Глубокие уровни вакансий в сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 24 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
На основе методов псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки (4x 4x 4) изучены глубокие уровни, создаваемые нейтральными, нерелаксированными вакансиями в AlAs, GaAs и сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3 (001). Проведен теоретико-групповой анализ симметрии электронных состояний дефектных кристаллов в зависимости от положения вакансий в слоях сверхрешетки. Результаты расчетов зонного спектра идеальной сверхрешетки показывают, что она является прямозонным, многодолинным полупроводником с энергией запрещенной зоны, равной 1.79 эВ. Конкурирующие долины в нижней зоне проводимости находятся около точек X, M, Z зоны Бриллюэна сверхрешетки и происходят из сфалеритных состояний L1c, X3c и Deltac1 соответственно. Размеры выбранной расширенной элементарной ячейки обеспечивают хорошую изоляцию волновых функций соседних глубоких центров, а вычисленные энергии уровней вакансий t2 в запрещенных зонах GaAs и AlAs согласуются с литературными данными. В сверхрешетке тетрагональная компонента потенциала приводит для вакансий, находящихся в средних (крайних) по отношению к Al слоях, к частичному (полному) снятию вырождения этих уровней. Наибольшие изменения (~0.1 эВ) имеют место для вакансии As, расположенной на гетерогранице. Симметрия состояний глубоких уровней и ориентация плоскостей, в которых они локализованы, зависят от геометрического положения вакансии, что может проявиться в поляризационной зависимости оптических характеристик.
- G.A. Baraff. Acta Phys. Polon., A82, 599 (1992)
- M. Lannoo. Acta Phys. Polon., A73, 897 (1988)
- M. Jaros. Adv. Phys., 28, 409 (1980)
- М. Ланно, Ж. Бургуэн. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория (М., Мир, 1984)
- М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки (М., Мир, 1989)
- P.J. Lin-Chung, T.L. Reinecke. Phys. Rev. B, 27, 1101 (1983)
- E. Yamaguchi. J. Phys. Soc. Jap., 56, 2835 (1987)
- Р.А. Эварестов. Квантово-химические методы в теории твердого тела (Л., 1982)
- R.W. Jansen. Phys. Rev. B, 41, 7666 (1990)
- J. Dabrowsky, M. Scheffler. Phys. Rev. B, 40, 10 391 (1989)
- K.A. Mader, A. Zunger. Phys. Rev. B, 50, 17 393 (1994)
- О.В. Ковалев. Неприводимые и индуцированные представления и копредставления федоровских групп (М., Наука, 1986)
- R.D. Grimes, E.R. Cowley. Can. J. Phys., 53, 2549 (1975)
- L. Sham. Proc. Roy. Soc. A, 283, 33 (1965)
- A.P. Seitsonen, R. Virkkunen, M.J. Puska, R.M. Nieminen. Phys. Rev. B, 49, 5253 (1994)
- G.B. Bachelet, G.A. Baraff, M. Schluter. Phys. Rev. B, 24, 915 (1981)
- M. Jaros, S. Brand. Phys. Rev. B, 14, 4494 (1976)
- S.G. Louie, M. Schluter, J.R. Chelikowsky, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 13, 1654 (1976)
- C. Delarue. Phys. Rev. B, 44, 10 525 (1991)
- W. Potz, D.K. Ferry. Phys. Rev. B, 31, 968 (1985)
- J. Bernhole, S.T. Pantelides. Phys. Rev. B, 18, 1780 (1978)
- A. Fazzio, J.R. Leite, M.L. De Siqueira. J. Phys. C, 12, 3469 (1979)
- H. Xu, U. Lindefelt. Phys. Rev. B, 41, 5979 (1990)
- K. Saarinen, P. Hontojorvi, P. Lanki, C. Corbel. Phys. Rev. B, 44, 10 585 (1991)
- A. Jorio, A. Wang, M. Parentean, C. Carlone, N.L. Rowell, S.M. Khanna. Phys. Rev. B, 50, 1557 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
