ФТП, 2007, том 41, выпуск 9

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами
типа InGaN/AlGaN/GaN1

Л.П.Авакянц, М.Л.Бадгутдинов, П.Ю.Боков, А.В.Червяков, С.С.Широков, А.Э.Юнович\kern1pt,
А.А.Богданов\kern1pt+, Е.Д.Васильева\kern1pt+, Д.А.Николаев\kern1pt+, А.В.Феопентов\kern1pt+

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119992 Москва, Россия
+ЗАО \glqq Светлана-Оптоэлектроника\grqq,
194156 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 7 декабря 2006 г. Принята к печати 25 декабря 2006 г.)

Методом спектроскопии электроотражения исследованы p-n-гетероструктуры InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами InGaN/AlGaN. Структуры были выращены методом металлорганической эпитаксии и смонтированы p-областью к теплоотводу. Свет падал и отражался от структур через сапфировую подложку. Для модуляции коэффициента отражения к p-n-переходу прикладывалось напряжение в виде прямоугольных импульсов с постоянным смещением в обратном направлении. В спектрах электроотражения обнаружена линия, соответствующая межзонным переходам в области множественных квантовых ям InGaN/GaN, максимум которой смещен в коротковолновую область по отношению к максимуму полосы инжекционной люминесценции светодиодных структур. Для описания спектра электроотражения использовалась низкополевая модель Аспнеса. Из подгонки параметров модели определена эффективная ширина запрещенной зоны в активной области структуры E*g=2.76-2.78 эВ. Наблюдаемая зависимость E*g от приложенного напряжения объясняется влиянием пьезоэлектрических полей в квантовых ямах InGaN. В спектрах электроотражения обнаружена интерференция в широкой спектральной области от 1.4 до 3.2 эВ, обусловленная зависимостью эффективного показателя преломления от электрического поля.

PACS: 78.40.Fy, 78.60.Fi, 78.67.De

 PDF версия (439Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster