ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование активации примеси в InP, имплантированном ионами бериллия, методом фотоотражения

Л.П.Авакянц, П.Ю.Боков, А.В.Червяков

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
119992 Москва, Россия

(Получена 17 мая 2004 г. Принята к печати 24 мая 2004 г.)

Методом спектроскопии фотоотражения исследован процесс активации примеси в кристаллаx InP, имплантированных ионами Be+ с энергией 100 кэВ и дозой 1013 см-2 и подвергнутых термическому отжигу в течение 10 с. При температурах отжига до 400oC в спектрах отсутствуют линии, характерные для кристаллического InP, что свидетельствует о разупорядочении кристаллической решетки вследствие ионной имплантации. При температурах отжига 400--700oC в спектрах наблюдаются линии, связанные с фундаментальным переходом InP (1.34 эВ) и переходом между зоной проводимости и спин-орбитально отщепленной подзоной валентной зоны (1.44 эВ), что указывает на восстановление кристаллической структуры. Для образцов, отожженных при температуре 800oC, в спектре фотоотражения наблюдаются осцилляции Франца-Келдыша, что свидетельствует об активации примеси. По периоду осцилляций определена концентрация свободных носителей, которая составила 2.2· 1016 см-3.

 PDF версия (156Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster