ФТП, 2003, том 37, выпуск 2

Другие выпуски	Другие журналы	Поиск


Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников
Клевков Ю.В., Мартовицкий В.П., Медведев С.А. Особенности дефектной структуры текстурированных слитков нелегированного CdTe, выращенных свободным ростом из газодинамического потока паров	129
Винценц С.В., Зайцева А.В., Плотников Г.С. Самоорганизация лазерноиндуцированных точечных дефектов на начальных стадиях неупругих фотодеформаций германия	134
Курова И.А., Ормонт Н.Н., Громадин А.Л. Фотоиндуцированный отжиг метастабильных дефектов в легированных бором пленках $a$ -Si : H	142

Электронные и оптические свойства полупроводников
Лашкарев Г.В., Дмитриев А.И., Байда А.А., Ковалюк З.Д., Кондрин М.В., Пронин А.А. Аномалии статической и динамической проводимости моноселенида индия	145
Брудный В.Н., Пешев В.В. $U$ -пик в спектрах DLTS $n$ -GaAs, облученного быстрыми нейтронами и протонами (65 МэВ)	151
Ваксман Ю.Ф., Ницук Ю.А., Пуртов Ю.Н., Шапкин П.В. Инверсия типа проводимости в монокристаллах ZnSe, полученных методом свободного роста	156
Глинчук К.Д., Прохорович А.В. Особенности определения концентраций мелких примесей в полупроводниках из анализа спектров краевой люминесценции	159
Горский П.В. Классификация частот осцилляций Шубникова--де-Гааза в слоистых зарядово-упорядоченных кристаллах при наличии магнитного пробоя	166
Аверкиев Н.С., Монахов А.М., Саблина Н.И., Koenraad P.M. Об обработке экспериментальных данных по осцилляции магнитосопротивления в двумерном электронном газе	169
Нифтиев Н.Н., Алиджанов М.А., Тагиев О.Б., Мурадов М.Б. Электрические свойства монокристаллов FeIn₂Se₄	173
Горлей П.Н., Грушка О.Г. Примесная зона в кристаллах Hg₃In₂Te₆, легированных кремнием	176

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность
Драпак С.И., Манассон В.А., Нетяга В.В., Ковалюк З.Д. Электрические свойства изотипной гетероструктуры $p$ ⁺-Bi₂Te₃-- $p$ -GaSe	180
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Создание и свойства фоточувствительных структур на монокристаллах ZnIn₂S₄	187
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е. Токоперенос в диодных структурах Fe-- $p$ -InP	192
Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В. Формирование барьера в гетероструктуре $<$ собственный окисел $>$ -- $p$ -InSe. Электрические и фотоэлектрические свойства	196

Низкоразмерные системы
Дроздов Ю.Н., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н., Хрыкин О.И., Шашкин В.И. Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs / GaAs в условиях газофазной эпитаксии	203
Раданцев В.Ф., Иванкив И.М., Яфясов А.М. Эффект Рашбы в инверсионных и обогащенных слоях InAs	209
Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Погосов А.О., Рзаев М.М., Сибельдин Н.Н. Фотолюминесценция квантовых ям и квантовых точек германия в кремнии, полученных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии	216
Макаров А.Г., Леденцов Н.Н., Цацульников А.Ф., Цырлин Г.Э., Егоров В.А., Устинов В.М., Захаров Н.Д., Werner P. Исследование оптических свойств структур со сверхплотными массивами квантовых точек Ge в матрице Si	219
Алешкин В.Я., Андронов А.А., Дубинов А.А. Инверсия заселенности Gamma -подзон в квантовых ямах в условиях междолинного Gamma -L-переноса	224

Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Курбатова Н.В., Хайбуллин И.Б., Степанов А.Л. Синтез новых углерод-азотных нанокластеров при термическом отжиге в атмосфере азота алмазоподобных пленок углерода	230
Казанский А.Г., Мелл Х., Форш П.А. Влияние термического отжига на оптические и фотоэлектрические свойства пленок микрокристаллического гидрированного кремния	235

Физика полупроводниковых приборов
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Захарчук З.И., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Солончук И.В., Кабанова И.С., Маслянчук Е.Л. Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe	238
Скрынников Г.В., Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Шамахов В.В., Тарасов И.С. О внутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda =1.55 мкм)	243