ФТП, 2003, том 37, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследования электронных переходов в связанных квантовых ямах со встроенным электрическим полем методом спектроскопии фотоотражения

Г.Б.Галиев, В.Э.Каминский , В.Г.Мокеров,
Л.П.Авакянц *, П.Ю.Боков *, А.В.Червяков *, В.А.Кульбачинский *

Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,
103907 Москва, Россия
* Московский государственный университет,
119899 Москва, Россия

(Получена 15 апреля 2002 г. Принята к печати 15 апреля 2002 г.)

В гетероструктурах со связанными квантовыми ямами и встроенным электрическим полем измерены спектры фотоотражения при комнатной температуре. Определены энергии оптических переходов. Изучены их зависимости от ширины ямы и толщины барьера. Проведено сравнение экспериментальных результатов с теоретически рассчитанными энергиями электронно-дырочных переходов. Для узких ям получено хорошее согласие. В широких ямах одному оптическому переходу соответствует несколько близко расположенных электронно-дырочных переходов.

 PDF версия (137Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster