Физика твердого тела

Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Stoffel M., Denker U., Schmidt O.G., Горбенко О.М., Сошников И.П.

Влияние предосаждения Si_1-xGe_x слоя на рост SiGe/Si(001) самоформирующихся островков

Шегай О.А., Березовский А.Ю., Никифоров А.И., Ульянов В.В.

Фотопроводимость структур Si / Ge / SiO_x и Si / Ge / Si с квантовыми точками германия

Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В., Никифоров А.И.

Ge / Si-фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи

Востоков Н.В., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Яблонский А.Н.

Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si) / Si(001)

Востоков Н.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Кузнецов О.А., Новиков А.В., Перевощиков В.А., Шалеев М.В.

Релаксированные буферные слои Si_1-xGe_x / Si(001), выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении

Антонов А.В., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Красильник З.Ф., Новиков А.В., Ускова Е.А., Шалеев М.В.

Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК-диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe / Si : B с двумерным дырочным газом

Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Кузнецов О.А., де Виссер А., Пономаренко Л.

Исследование размерно-квантованной валентной зоны Ge в потенциальной яме Ge_1-xSi_x / Ge / Ge_1-xSi_x с помощью гальваномагнитных эффектов

Валах М.Я., Голиней Р.Ю., Джаган В.Н., Красильник З.Ф., Литвин О.С., Лобанов Д.Н., Милехин А.Г., Никифоров А.И., Новиков А.В., Пчеляков О.П., Юхимчук В.А.

Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах

Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Птицын В.Э., Дубровский В.Г., Масалов С.А., Евтихиев В.П., Денисов Д.В., Устинов В.М., Werner P.

Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge / Si(100)-квантовых точек

Пчеляков О.П., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Паханов Н.А., Соколов Л.В., Чикичев С.И., Якимов А.И.

Наногетероструктуры Si-Ge-GaAs для фотоэлектрических преобразователей

Никифоров А.И., Ульянов В.В., Пчеляков О.П., Тийс С.А., Гутаковский А.К.

Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси Si

Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Рзаев М.М., Погосов А.О., Сибельдин Н.Н., Цветков В.А., Lichtenberger H., Schaffler F., Leitao J.P., Sobolev N.A., Carmo M.C.

Морфологическая перестройка слоя германия на кремнии при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии

Алешкин В.Я., Антонов А.В., Векслер Д.Б., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Иконников А.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А., Спирин К.Е.

Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле

Шамирзаев Т.С., Сексенбаев М.С., Журавлев К.С., Никифоров А.И., Ульянов В.В., Пчеляков О.П.

Фотолюминесценция квантовых точек германия, выращенных в кремнии на субмонослое SiO₂

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Яблонский А.Н., Кузнецов В.П., Gregorkiewicz T., Klik M.A.J.

Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er

Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шиляев П.А., Степихова М.В., Красильникова Л.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф.

Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Светлов С.П., Гусев О.Б.

Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si / Si_1-xGe_x : Er / Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе

Ремизов Д.Ю., Шмагин В.Б., Антонов А.В., Кузнецов В.П., Красильник З.Ф.

Эффективное сечение возбуждения и время жизни ионов Er³⁺ в светодиодах на основе Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Кузнецов В.П., Рубцова Р.А., Шабанов В.Н., Касаткин А.П., Седова С.В., Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Демидов Е.В.

Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Тетеруков С.А., Лисаченко М.Г., Шалыгина О.А., Жигунов Д.М., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.

Влияние неоднородностей диэлектрической проницаемости твердотельной матрицы на ширину спектра люминесценции ионов эрбия

102

Гусев О.Б., Войдак М., Клик М., Форкалес М., Грегоркевич Т.

Возбуждение эрбия в матрице SiO₂ : Si-nc при импульсной накачке

105

Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Бер Б.Я., Коварский А.П., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Устинов В.М., Цырлин Г.Э., Котерева Т.В.

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию

108

Соболев Н.А., Денисов Д.В., Емельянов А.М., Шек Е.И., Паршин Е.О.

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние имплантации и отжига на люминесцентные свойства

112

Тимошенко В.Ю., Шалыгина О.А., Лисаченко М.Г., Жигунов Д.М., Тетеруков С.А., Кашкаров П.К., Kovalev D., Zacharias M., Imakita K., Fujii M.

Люминесценция ионов эрбия в слоях кремниевых нанокристаллов в матрице диоксида кремния при сильном оптическом возбуждении

116

Шмагин В.Б., Ремизов Д.Ю., Оболенский С.В., Крыжков Д.И., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф.

Электролюминесценция ионов Er³⁺ в режиме пробоя диодной структуры p⁺-Si/n-Si : Er/n⁺-Si

120

Юрасова И.В., Антипов О.Л., Ермолаев Н.Л., Черкасов В.К., Лопатина Т.И., Чесноков С.А., Ильина И.Г.

Новые полимерные нанокомпозиции с гигантской динамической оптической нелинейностью

124

Германенко А.В., Миньков Г.М., Рут О.Э., Ларионова В.А., Звонков Б.Н., Шашкин В.И., Хрыкин О.И., Филатов Д.О.

Влияние шероховатости двумерных гетероструктур на слабую локализацию

128

Демидов Е.С., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Белорунова И.С., Горшков О.Н., Степихова М.В., Шаронов А.М.

Свойства силиката магния с примесью хрома в пористом кремнии

136

Гиппиус Н.А., Тиходеев С.Г., Крист А., Куль Й., Гиссен Х.

Плазмонно-волноводные поляритоны в металлодиэлектрических фотонно-кристаллических слоях

139

Сычев Ф.Ю., Мурзина Т.В., Ким Е.М., Акципетров О.А.

Сегнетоэлектрические фотонные кристаллы на основе наноструктурированного цирконата-титаната свинца

144

Мурзина Т.В., Ким Е.М., Капра Р.В., Акципетров О.А., Иванченко М.В., Лифшиц В.Г., Кузнецова С.В., Кравец А.Ф.

Генерация магнитоиндуцированной третьей гармоники в наноструктурах и тонких пленках

147

Акципетров О.А., Долгова Т.В., Соболева И.В., Федянин А.А.

Анизотропные фотонные кристаллы и микрорезонаторы на основе мезопористого кремния

150

Кашкаров П.К., Головань Л.А., Заботнов С.В., Мельников В.А., Круткова Е.Ю., Коноров С.О., Федотов А.Б., Бестемьянов К.П., Гордиенко В.М., Тимошенко В.Ю., Желтиков А.М., Петров Г.И., Яковлев В.В.

Увеличение эффективности нелинейно-оптических взаимодействий в наноструктурированных полупроводниках

153

Акимов Б.А., Богоявленский В.А., Васильков В.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.

Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe(Ga)

160

Пахомов Г.Л., Гапонова Д.М., Лукьянов А.Ю., Леонов Е.С.

Люминесценция в тонких пленках фталоцианина

164

Багаев В.С., Онищенко Е.Е.

Особенности температурной зависимости фотолюминесценции сверхрешеток квантовых точек CdTe / ZnTe

168

Teperik T.V., Popov V.V., Garci a de Abajo F.J.