Физика твердого тела
Электронная почта:
sst@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика твердого тела
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика твердого тела
»
Год 1996, выпуск 1
>>>
Физика твердого тела, 1996, том 38, выпуск 1
Гаджиев Б.Р., Сеидов Мир-Гасан Ю., Абдурахманов В.Р.
Несоизмеримо-несоизмеримый фазовый переход в последовательности структурных фазовых превращений в слоистом кристалле TlInS
2
3
Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Рамазанзаде В.А.
Диэлектрические свойства и проводимость на переменном токе монокристаллов TlInS
2
14
Андреев А.А., Андрианов А.В., Авербух Б.Я., Мавлянов Р.
Инжекционная электролюминесценция pin-тонкопленочных структур на основе гидрогенизированного кремния, полученного в условиях сверхсильного разбавления силана водородом
19
Белявский В.И., Бобров О.П., Косилов А.Т., Хоник В.А.
Направленная структурная релаксация и низкочастотное внутреннее трение свежезакаленных металлических стекол
30
Пирятинский Ю.П., Яцун О.В.
Электронные спектры J-агрегатов и кристаллов амфифильного антропиримидина
41
Павлов А.Н., Раевский И.П.
Перенос неравновесных носителей заряда в поликристаллических сегнетоэлектриках
49
Зубрицкий В.В.
Фокусировка фононов и анизотропия стримерного пробоя в кристаллах CdS
56
Коробов А.И., Бражкин Ю.А.
Электроакустический эффект в центросимметричных кристаллах
63
Фомин Н.В., Шанцев Д.В.
Возникновение дислокации несоответствия на интерфейсе подложки и слоя твердого раствора конечной толщины
76
Кютт Р.Н., Аргунова Т.С.
Определение структурных параметров тонких пленок YBaCuO методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии
89
Квятковский О.Е.
Микроскопическая теория электрической поляризации кристаллических диэлектриков и полупроводников
101
Корсуков В.Е., Князев С.А., Лукьяненко А.С., Назаров Р.Р., Обидов Б.А., Степин Е.В., Светлов В.Н.
Зарождение разрушения в поверхностных слоях монокристаллов Ge и Si
113
Агекян В.Ф., Серов А.Ю.
Оптические свойства микрокристаллов PbI
2
в стеклянной матрице
122
Сапожников К.В., Кустов С.Б.
Влияние температуры на амплитудные зависимости акустопластического эффекта
127
Алешин А.Н., Миронков Н.Б., Суворов А.В.
Влияние эффектов локализации и электрон-электронного взаимодействия на проводимость ионно-облученных полимеров на металлической стороне перехода металл--диэлектрик
133
Аверкиев Н.С., Вихнин В.С., Саблина Н.И.
Новая форма резонансных линий, уширенных дислокациями в тонких пленках
138
Дьяконов В.П., Маркович В.И., Бойко Ф.А., Дорошенко Н.А., Левченко Г.Г., Фита И.М.
Сверхпроводимость ВТСП-системы Gd
1+ x
Ba
2- x
Cu
3
O
7-delta
145
Панченко Т.В., Костюк В.Х., Копылова С.Ю.
Локальные центры в кристаллах Bi
12
SiO
20
нестехиометричного состава
155
Жуков В.П.
Электронная зонная структура и проводимость скуттерудитов MP
3
(M = Co, Ni)
166
Шпейзман В.В., Песчанская Н.Н., Чуднова Р.С.
Активационные характеристики деформации монокристаллов LiF с выделенными системами скольжения
176
Григорьев В.Н., Гринев В.И., Литвиненко В.Л., Лысенко В.Г., Першикова Н.И., Хвам И.М.
Насыщение экситонного поглощения в многослойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при фемтосекундном лазерном возбуждении
184
Клявин О.В., Малыгин Г.А., Чернов Ю.М.
Влияние фазового состояния среды гелия на скачкообразную деформацию кристаллов фтористого лития при 1.3-4.2 K
191
Левченко Г.Г., Дьяконов В.П., Маркович В.И., Фита И.М.
Аномальное поведение парамагнитной восприимчивости монокристаллов GdBaCuO
6.2
в магнитном поле
201
Аязбаев Т., Зайцева Н.В., Исупов В.А., Пронин И.П., Шаплыгина Т.А.
Поведение сегнетокерамики магнониобата-титаната свинца, поляризованной при охлаждении до низких температур и нагреваемой без поля
208
Горбунов С.В., Кудяков С.В., Яковлев В.Ю., Кружалов А.В.
Короткоживущее оптическое поглощение автолокализованных дырок в кристаллах оксида бериллия
214
Колесников В.В.
Механизм влияния гидридной фазы в устье растущей трещины на развитие водородной хрупкости металлов
220
Мазуренко В.Г., Данилкин С.А.
Расчеты локальных плотностей состояний фононов в твердых растворах внедрения рекурсивным методом
229
Игнатенко О.А., Бабушкин А.Н., Горланова Ю.В.
Барический гистерезис электропроводимости и термоэдс фаз высокого давления теллурида германия
233
Орлова Т.С., Смирнов Б.И., Шпейзман В.В., Адриан Г., Адриан Х.
Некоторые физико-механические свойства монокристаллических ВТСП-пленок YBa
2
Cu
3
O
7- x
239
Рандошкин В.В., Васильева Н.В., Дудоров В.Н., Дурасова Ю.А., Мартынов А.Ф., Сажин Ю.Н.
Сравнение динамических свойств самарий- и европийсодержащих пленок феррит-гранатов
245
Пунегов В.И., Фалеев Н.Н.
Определение структурных параметров градиентного эпитаксиального слоя методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. I. Начальное приближение решения обратной задачи дифракции
255
Пунегов В.И., Павлов К.М., Подоров С.Г., Фалеев Н.Н.
Определение структурных параметров градиентного эпитаксиального слоя методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. II. Решение обратной задачи в рамках кинематической и статистической динамической теории дифракции
264
Дубровский Г.Б., Жданович Н.С.
Оптические свойства кристаллов 2H SnS
2
272
Иродова А.В., Лаврова О.А., Ласкова Г.В., Паршин П.П., Шилов А.Л.
Индуцированные водородом превращения в системе PrNi
2
--H: от кристаллического к аморфному состоянию
277
Браун П.Д., Логинов Ю.Ю., Стоббс У.М., Хамфрейс К.Дж.
Формирование микродвойников в (001)-гетероэпитаксиальных слоях
284
Беспятых Ю.И., Бордман А.Д., Дикштейн И.Е., Никитов С.А.
3 D-поверхностные и 2 D-краевые прецессионные солитоны (магнитные капли) в одноосных магнетиках с частичным закреплением спинов на поверхности
295
Терехов А.С., Орлов Д.А., Ярошевич А.С., Солдатченко Г.М., Савченко И.В., Ронжин Л.С.
Влияние силы зеркального изображения на фотоэмиссию электронов из GaAs с отрицательным электронным сродством
306
Блонский И.В., Бродин М.С., Тхорик В.А., Тельбиз Г.М., Филин А.Г.
Аномалии фотоакустического отклика в системе CdS/ Y-цеолит
309
Чеботкевич Л.А., Гаврилюк Ю.Л., Кузнецова С.В., Лифшиц В.Г.
Магнитные свойства модулированных Fe/Mo-пленок
313
Попов П.А., Егоров Г.В., Писаревский Ю.В., Иванов С.Н., Сенющенков П.А., Милль Б.В.
Теплоемкость и теплопроводность силикогаллата лантана
317
Богданова Х.Г., Голенищев-Кутузов В.А., Куркин М.И., Шакирзянов М.М.
Влияние спонтанной магнитострикции на сигналы ядерного спинового эха в FeBO
3
320
Глушко Е.Я.
Поверхностные состояния в точно решаемой модели полупроводниковой пленки
323
Бисти В.Е.
О поверхностных состояниях в бесщелевых полупроводниках
327
Савенко О.М., Геринг Г.И.
Влияние примеси на процесс образования структур разрушения в ионных кристаллах
331
Содержание (отсканированная версия)
334
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук