Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 1996, выпуск 1 » Статья стр. 19
<<<>>>
Инжекционная электролюминесценция pin-тонкопленочных структур на основе гидрогенизированного кремния, полученного в условиях сверхсильного разбавления силана водородом
Андреев А.А.1, Андрианов А.В.1, Авербух Б.Я.1, Мавлянов Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
PDF версия
Методом плазмохимического разложения силана (SiH4) в условиях сильного (1:100) разбавления реактивного газа водородом получены тонкие слои гидрогенизированного кремния с шириной оптического зазора Eg>=2.0 eV. Измерения фотолюминесценции (ФЛ) показали межзонный характер излучательлных переходов и дали время затухания импульса ФЛ порядка 5·10-8 s. Эти результаты в совокупности с данными по комбинационному рассеянию света интерпретируются в рамках неоднородной микроструктуры пленок, а именно двухфазной, состоящей из нанокристаллитов кремния, разделенных тонкими прослойками аморфного материала. Исследуемая pin-структура на основе нанокристаллических слоев имеет вольт-амперную характеристику туннельного типа, подчиняющуюся закону Фаулера-Нордгейма. Обнаружена инжекционная электролюминесценция в видимом диапазоне, которая видна невооруженным глазом. Изучены спектральные, кинетические и температурные характеристики электролюминесценции. Обсуждается механизм инжекционной излучательной рекомбинации.
  1. Spear W.E., Willeke G., Le Comber P.G., Fitzgerald A.G. J. de Physique 42 Suppl., \it c4, 257 (1981)
  2. Matsuda A., Tanaka K. Amorphous semiconductors, Technologies and devices / Ed. Y. Hamakawa. Tokyo (1983). V. 6. 345 p
  3. Hollingsworth R.E., Bhat P.K., Madan A. JNCS 97--98, 309 (1987)
  4. Грехов А.М., Гавриленко В.И., Литовченко В.Г. Неорган. материалы 22, \it 2, 318 (1986)
  5. Лей Л. Физика гидрогенизированного кремния / Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски; Пер. с англ. М. (1988). 447 с
  6. Brodski M.H. Solid State Commun. 36, 55 (1980)
  7. Canham T.L. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990)
  8. Lockwood D.J., Solid State Commun. 92, 101 (1994)
  9. Tsai C.C., Anderson G.B., Thomson R., Wacker B. JNCS 114, \it 1, 151 (1989)
  10. Shmitt J.P.M. JNCS 59--60, 649 (1983)
  11. Мотт Н, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах / Пер. с англ. М. (1982). 658 с
  12. Mott N.F. Phil. Mag. 36, 2, 413 (1977)
  13. Kanemitsu Y., Uto H., Masumoto Y., Matsumoto T., Fitagi T., Mimura H. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 298, 265 (1993)
  14. Furukawa S., Matsumoto N., Takeda K. JNCS 77--78, \it 1, 253 (1985)
  15. Denenville A., Bruyere J.C., Hamdi H. J. de Physique Suppl., \it c4, 733 (1981)
  16. Shimizu I. JNCS 114, 1, 145 (1989)
  17. Решина И.И., Гук Е.Г. ФТП 27, 5, 728 (1993)
  18. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М. (1979). 416 с
  19. Сванбаев Е.А., Таурбаев Т.И. Тез. всесоюз. сем. "Аморфные гидрированные полупроводники и их применение". (1991). С. 53
  20. Грехов А.М., Гунько В.М. ФТП 19, 9, 1881 (1985)
  21. Baraff G.A. Phys. Rev. 128, 2507 (1962)
  22. Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М. (1974). 279 с
  23. Васильев В.А., Волков А.С., Мусабеков Е., Теруков Е.И. Письма ЖЭТФ 14, \it 18, 1675 (1988); Vassilyev V.A., Volkov A.S., Mussabekov E., Terukov E.I., Shernyshov S.V., Shernyakov Yu.S. J. Non-Cryst. Sol. 114, 507 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme