Физика твердого тела
Электронная почта:
sst@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика твердого тела
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика твердого тела
»
Год 1993, выпуск 10
<<<
>>>
Физика твердого тела, 1993, том 35, выпуск 10
Берт Н.А., Вейнгер А.И., Вилисова М.Д., Голощапов С.И., Ивонин И.В., Козырев С.В., Куницын А.Е., Лаврентьева Л.Г., Лубышев Д.И., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Третьяков В.В., Чалдышев В.В., Якубеня М.П.
Арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре: кристаллическая структура, свойства, сверхпроводимость
2609
Днепровский В.С., Караванский В.А., Климов В.И.
Проявление эффекта размерного квантования в легированных полупроводником стеклах ОС и КС
2626
Изотов А.Н., Колюбакин А.И., Шевченко С.А., Штейнман Э.А.
Определение структурных характеристик дислокаций в германии по спектрам фотолюминесценции
2635
Сандаков Г.И., Хитрин А.К.
Статистика конфигурации в необратимой кинетической модели Изинга
2640
Тарасенко С.В.
Новый механизм локализации безобменных магнонов на доменной границе
2648
Гавренко О.А., Зарицкий П.В., Мерисов Б.А., Овчаренко В.И., Попов В.П., Сологубенко А.В., Тютрюмова Н.Ю., Хаджай Г.Я.
Теплофизические свойства монокристаллического гипса при низких температурах
2653
Гатауллин О.Ф., Жеглов Е.П., Рыжманов Ю.М.
Аддитивный вклад в потенциал кристаллического поля при деформационном сдвиге, обусловленном замещением ионов
2658
Александрова И.П., Суховский А.А., Розанов О.В.
Исследование фазовых переходов в смешанных кристаллах семейства NH
4
HSeO
4
2664
Кусраев Ю.Г., Аверкиева Г.К.
Исследование фотолюминесценции твердых растворов полумагнитных полупроводников CdMgMnTe
2671
Андрианов А.В., Ковалев Д.И., Ярошецкий И.Д.
Поляризованная фотолюминесценция пористого кремния
2677
Корженевский А.Л.
О термоактивационном движении дислокаций в рельефе Пайерлса в окрестности точек фазовых переходов первого рода
2684
Катаев С.Г., Чалдышев В.А.
Интерпретация спектров сверхбыстрой люминесценции в иодиде цезия на основе энергетического зонного спектра
2688
Николаев В.И., Смирнов Б.И.
Влияние переменного электрического поля на сопротивление деформированию сегнетоэлектрических кристаллов NaNO
2
2695
Пронина Л.Н., Аристова И.М.
Характер изменения дислокационной структуры в прокатанных монокристаллических лентах молибдена
2701
Аристова И.М., Пронина Л.Н.
Особенности электронно-микроскопического изображения дислокаций в субграницах деформированных монокристаллов молибдена
2709
Сугаков В.И.
Инверсия заселенностей атомов по кристаллическим узлам или междуузлиям при фазовых переходах
2714
Струков Б.А., Белов А.А., Марков Ю.Ф.
Температурная зависимость коэффициента теплопроводности сегнетоэластического кристалла Hg
2
Cl
2
2724
Брыксин В.В., Дороговцев С.Н., Коровин Л.И.
Появление постоянной компоненты голографического тока при колебательном движении интерференционной картины
2730
Раваев А.А.
Определение фазового состава материалов через эффективные параметры <<искусственных диэлектриков>> при фазовом переходе второго рода
2739
Векилов Ю.Х., Рубан А.В., Симак С.И.
Электронная структура и термодинамические свойства неупорядоченных сплавов Ni--W
2750
Каминский А.Ю.
Влияние деформации на тонкую структуру экситонных уровней в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II
2756
Джежеря Ю.И.
Спектры спин-волновых возбуждений и неустойчивость полосового домена в поле смещения
2760
Розенфельд Е.В., Ирхин Ю.П., Финкельштейн Л.Д.
Анизотропия парамагнитной восприимчивости и электронная структура ВТСП
2769
Гольдфарб М.В., Молоцкий М.И.
Электронные состояния B-центра на дислокации в AgBr
2777
Васильева Т., Гандель Ю., Давыдова Л., Шикин В.
Частоты плазменных колебаний в системе квазиодномерных электронных каналов
2783
Щедрина Н.В., Щедрин М.И.
О возможности проявления бифононной неустойчивости в экспериментах по затуханию звука в кристаллах со структурными фазовыми переходами
2789
Белый В.Н., Курилкина С.Н.
Электроиндуцированная коническая рефракция ультразвуковых волн в кубических параэлектриках
2794
Компан М.Е., Шабанов И.Ю.
Исследование характеристик субмиллисекундного послесвечения пористого кремния в области температур 80--370 K
2802
Винокуров А.В., Жданов Р.Ш., Столов А.Л., Ягудин Ш.И.
Электрон-деформационное взаимодействие в кристалле KY
3
F
10
, активированном Er
3+
2809
Никитин С.Е., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б.
Обратимые изменения электрических свойств пленки VO
2
с использованием подложки из суперионного проводника
2815
Джиоев Р.И., Захарченя Б.П., Ичкитидзе Р.Р., Кавокин К.В., Пак П.Е.
Спектральная зависимость эффекта Ханле, обусловленная диффузией оптически ориентированных электронов в полупроводниках p-типа
2821
Иванова Т.А., Куковицкий Е.Ф., Усачев А.Е., Яблоков Ю.В., Зеленцов В.В., Фесенко Т.Н.
Структурная модель ян-теллеровских центров Ni
3+
в керамике LaSrAl
1- x
Ni
x
O
4
2829
Заворотный В.Ф., Поплавко Ю.М., Пасечник Л.Ф.
Диффузия тепла в сегнето- и антисегнетоэлектриках группы KDP
2832
Бажанова Н.П., Кораблев В.В., Осарков Е.Б.
Определение природы химической связи между атомами соединения методом пороговых потенциалов полного выхода вторичных электронов
2835
Ефимова Н.Н., Перваков В.А., Овчаренко В.И., Тютрюмова Н.Ю.
Теплоемкость кластерных спиновых стекол
2838
Шахвердиев Э.М., Садыхов Э.А.
Резонансное увеличение нестационарной дифракционной эффективности объемных фазовых голограмм в фоторефрактивных кристаллах в режиме <<бегущей>> решетки
2841
Балазюк В.Н., Богачев Г.Ю., Гешко Е.И., Маренкин С.Ф., Михальченко В.П., Пищиков Д.И., Раренко А.И., Чорней С.А.
О температурной зависимости рентгеновских интерференций монокристаллов диарсенида цинка
2845
Лисовский Ф.В., Мансветова Е.Г., Пак Чун Ман
Влияние ионов рутения на магнитную анизотропию и восприимчивость эпитаксиальных пленок состава (YPrBi)
3
Fe
5
O
12
2848
Коваленко А.В., Мекекечко А.Ю.
Влияние деформационных напряжений на оптические характеристики эпитаксиальных пленок ZnSe на GaAs(100)
2852
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme