Вышедшие номера
Электронные состояния B-центра на дислокации в AgBr
Гольдфарб М.В.1, Молоцкий М.И.1
1Воронежский государственный университет
Поступила в редакцию: 23 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Методом эффективной массы в континуальном приближении рассчитаны электронные состояния B-центра (отрицательного иона серебра, расположенного в анионном узле решетки) в регулярном кристалле AgBr и на дислокации. Показано, что B+- и B-центры термически неустойчивы в объеме кристалла. Их устойчивость резко возрастает при переходе в область ядра дислокации. Предсказано образование на дислокациях трехэлектронных B--центров, не существующих в объеме кристалла. Обсуждается возможность участия B-центров на дислокациях в образовании внутреннего скрытого фотографического изображения (СФИ).