Физика твердого тела
Электронная почта:
sst@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика твердого тела
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика твердого тела
»
Год 2004, выпуск 1
>>>
Физика твердого тела, 2004, том 46, выпуск 1
Материалы совещания
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Захарченя Б.П., Яссиевич И.Н.
Эффективность электролюминесценции кремниевых диодов
10
Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Степихова М.В., Павлов Д.А., Павлова Т.В., Шиляев П.А., Хохлов А.Ф.
Структурные и фотолюминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире
15
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Теруков Е.И., Froitzheim A., Fuhs W.
Краевая электролюминесценция кремния: гетероструктура аморфный кремний--кристаллический кремний
18
Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Бурдов В.А., Трушин С.А., Михайлов А.Н., Гапонова Д.М., Морозов С.В., Ковалев А.И.
Влияние ионной имплантации P
+
, B
+
и N
+
на люминесцентные свойства системы SiO
2
: nc-Si
21
Штейнман Э.А., Вдовин В.И., Изотов А.Н., Пархоменко Ю.Н., Борун А.Ф.
Фотолюминесценция и структурные дефекты слоев кремния, имплантированных ионами железа
26
Беляков В.А., Бурдов В.А., Гапонова Д.М., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Трушин С.А.
Излучательная электронно-дырочная рекомбинация в кремниевых квантовых точках с участием фононов
31
Вяткин А.Ф., Гаврилин Е.Ю., Горбатов Ю.Б., Старков В.В., Сироткин В.В.
Формирование двумерных структур фотонных кристаллов в кремнии для ближнего ИК диапазона с использованием остросфокусированных ионных пучков
35
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Шек Е.И., Вдовин В.И.
Влияние температуры постимплантационного отжига на свойства кремниевых светодиодов, полученных имплантацией ионов бора в n-Si
39
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Шек Е.И.
Кремниевые светодиоды, излучающие в области зона-зонных переходов: влияние температуры и величины тока
44
Блонский И.В., Вахнин А.Ю., Кадан В.Н., Кадащук А.К.
Новые механизмы локализации носителей заряда в нано-Si
49
Егоров В.А., Цырлин Г.Э., Тонких А.А., Талалаев В.Г., Макаров А.Г., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Zakharov N.D., Werner P.
Si/Ge наноструктуры для применений в оптоэлектронике
53
Двуреченский А.В., Якимов А.И., Ненашев А.В., Зиновьева А.Ф.
Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях
60
Востоков Н.В., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Яблонский А.Н.
Фотолюминесценция GeSi/Si(001) самоорганизующихся наноостровков различной формы
63
Болховитянов Ю.Б., Кривощапов С.Ц., Никифоров А.И., Ольшанецкий Б.З., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Тийс С.А.
Пути получения упорядоченных гетероструктур Ge--Si с германиевыми нанокластерами предельно малых размеров
67
Валах М.Я., Джаган В.Н., Красильник З.Ф., Литвин П.М., Лобанов Д.Н., Моздор Е.В., Новиков А.В., Юхимчук В.А., Яремко А.М.
Взаимосвязь энергии наноостровков SiGe с их формой и размерами
70
Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Погосов А.О., Рзаев М.М., Сибельдин Н.Н., Цветков В.А.
Фотолюминесценция Si / Ge-наноструктур, выращенных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии
74
Шегай О.А., Марков В.А., Никифоров А.И.
Индуцированная межзонным светом ступенчатая фотопроводимость структур Si / Ge с квантовыми точками
77
Никифоров А.И., Ульянов В.В., Пчеляков О.П., Тийс С.А., Гутаковский А.К.
Рост и структура наноостровков Ge на атомарно-чистой поверхности окиси Si
80
Тийс С.А., Талочкин А.Б., Романюк К.Н., Ольшанецкий Б.З.
Формирование наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111) до образования смачивающего слоя
83
Валах М.Я., Джаган , Литвин П.М., Юхимчук В.А., Красильник З.Ф., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
Компонентный состав и упругие напряжения в многослойных структурах с наноостровками Si
1-x
Ge
x
88
Соколов Л.В., Дерябин А.С., Якимов А.И., Пчеляков О.П., Двуреченский А.В.
Самоформирование квантовых точек Ge в гетероэпитаксиальной системе CaF
2
/Ge/CaF
2
/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе
91
Милехин А.Г., Никифоров А.И., Ладанов М.Ю., Пчеляков О.П., Шульце Ш., Цан Д.Р.Т.
Резонансное комбинационное рассеяние света напряженными и срелаксированными Ge-квантовыми точками
94
Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Яблонский А.Н., Кузнецов В.П., Gregorkiewicz T., Klik M.A.J.
Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов Er
3+
в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием
98
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И.
Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ
102
Кашкаров П.К., Каменев Б.В., Лисаченко М.Г., Шалыгина О.А., Тимошенко В.Ю., Schmidt M., Heitmann J., Zacharias M.
Эффективная люминесценция ионов эрбия в системах кремниевых нанокристаллов
105
Шмагин В.Б., Ремизов Д.Ю., Красильник З.Ф., Кузнецов В.П., Шабанов В.Н., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Дроздов М.Н.
Влияние характера пробоя p-n-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er
3+
в эпитаксиальных слоях Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
110
Stepikhova M.V., Cerqueira M.F., Losurdo M., Giangregorio M.M., Alves E., Monteiro T., Soares M.J.
The role of microstructure in luminescent properties of Er-doped nanocrystalline Si thin films
114
Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Hanna S., Seilmeier A., Moumanis Kh., Julien F., Жуков А.Е., Устинов В.М.
Внутризонное поглощение и излучение света в квантовых ямах и квантовых точках
119
Кристовский К.Г., Кожанов А.Е., Долженко Д.Е., Иванчик И.И., Watson D., Хохлов Д.Р.
Фотопроводимость легированных сплавов на основе теллурида свинца в субмиллиметровом диапазоне
123
Алёшкин В.Я., Векслер Д.Б., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Иконников А.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А.
Переходы с участием мелких примесей в спектрах субмиллиметрового магнитопоглощения в напряженных квантово-размерных гетероструктурах Ge / GeSi(111)11k
126
Алёшкин В.Я., Векслер Д.Б., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Иконников А.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А.
Межподзонный циклотронный резонанс дырок в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi (111) с широкими квантовыми ямами Ge и циклотронный резонанс 1L-электронов в слоях GeSi
131
Lusakowski J., Knap W., Dyakonova N., Kaminska E., Piotrowska A., Golaszewska K., Shur M.S., Smirnov D., Gavrilenko V., Antonov A., Morozov S.
Magnetotransport characterization of THz detectors based on plasma oscillations in submicron field effect transistors
138
Антонов А.В., Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Морозов С.В., Дубинов А.А., Lusakowski J., Knap W., Dyakonova N., Kaminska E., Piotrowska A., Golaszewska K., Shur M.S.
Электронный транспорт и детектирование терагерцевого излучения субмикронными полевыми транзисторами с двумерным электронным газом GaAs/AlGaAs
146
Векслер Д.Б., Гавриленко В.И., Спирин К.Е.
Циклотронный резонанс дырок в кремнии в квантующих магнитных полях
150
Popov V.V., Teperik T.V., Polischuk O.V., Peralta X.G., Allen S.J., Horing N.J.M., Wanke M.C.
Plasmon induced terahertz absorption and photoconductivity in a grid-gated double-quantum-well structure
152
Романов Ю.А., Романова Ю.Ю.
Разрушение и стабилизация электромагнитной прозрачности полупроводниковой сверхрешетки
156
Романов Ю.А., Романова Ю.Ю.
О терагерцевом блоховском генераторе
162
Дремин А.А., Ларионов А.В., Тимофеев В.Б.
Бозе-конденсация межъямных экситонов в латеральных ловушках: фазовая диаграмма
168
Багаев В.С., Водопьянов Л.К., Виноградов В.С., Зайцев В.В., Козырев С.П., Мельник Н.Н., Онищенко Е.Е., Карчевский Г.
Электронные состояния и колебательные спектры сверхрешеток квантовых точек CdTe/ZnTe
171
Валах М.Я., Стрельчук В.В., Семенова Г.Н., Садофьев Ю.Г.
Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние света в наноструктурах CdSe / ZnSe
174
Полупроводники. Диэлектрики
Рущанский К.З.
Влияние гидростатического давления на статические и динамические свойства кристалла InSe: исследования из первых принципов
177
Магнетизм. Сегнетоэлектричество
Малышев А.В., Пешев В.В., Притулов А.М.
Температурные зависимости диэлектрических свойств литий-титановой ферритовой керамики
185
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук