Вышедшие номера
Переходы с участием мелких примесей в спектрах субмиллиметрового магнитопоглощения в напряженных квантово-размерных гетероструктурах Ge / GeSi(111)11k
Алёшкин В.Я.1, Векслер Д.Б.1, Гавриленко В.И.1, Ерофеева И.В.1, Иконников А.В.1, Козлов Д.В.1, Кузнецов О.А.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

В спектрах субмиллиметрового (f=130-1250 GHz) магнитопоглощения в напряженных многослойных гетероструктурах Ge / GeSi(111) с квантовыми ямами при межзонной оптической подсветке при T=4.2 K обнаружены линии, связываемые с возбуждением остаточных мелких акцепторов. Наблюдаемое резонансное поглощение может быть обусловлено оптическими переходами между примесными состояниями, связанными с двумя парами уровней Ландау дырок в квантовых ямах в слоях Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 03-02-16808), Минпромнауки РФ и ФЦП "Интеграция" (проект N Б0039 / 2102).