Физика твердого тела
Электронная почта:
sst@journals.ioffe.ru
English translations
Журналы
Журнал технической физики
Письма в Журнал технической физики
Физика твердого тела
Физика и техника полупроводников
Оптика и спектроскопия
Поиск
Войти
Физика твердого тела
Описание журнала
Редакционная коллегия
Статистика
Переводная версия
Авторам
Правила оформления публикаций
Вышедшие номера
2024
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
2023
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2022
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2021
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2020
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2019
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2018
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2017
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2016
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2015
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2014
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2013
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2012
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2011
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2010
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2009
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2008
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2007
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2005
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2004
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2003
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2002
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2001
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1999
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1998
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1997
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1996
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1995
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1994
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1993
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1992
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1991
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1990
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1989
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
1988
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Home
»
Физика твердого тела
»
Год 2020, выпуск 4
<<<
>>>
Физика твердого тела, 2020, том 62, выпуск 4
Металлы
Хон Ю.А., Zapolsky H.
Динамические смещения атомов и атермическое скольжение дислокаций в кристаллах
517
Riaz M., Ahmad N., Rasheed A., Khalid M.
Influence of Fe on Microstructure and Physical Properties of Cu
90-x
Fe
x
Pd
10
Ternary Alloys with x=5, 10, 15, and 20
522
Полупроводники
Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л., Пащенко А.С., Пащенко О.С.
Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi-InSb
523
Васильченко А.А., Кривобок В.С., Николаев С.Н., Багаев В.С., Онищенко Е.Е., Копытов Г.Ф.
Спектр излучения и стабильность двух типов электронно-дырочной жидкости в мелких Si/Si
1-x
Ge
x
Si квантовых ямах
529
Сотников А.В., Баковец В.В., Ohta Michihiro, Агажанов А.Ш., Станкус С.В.
Морфология и термоэлектрические свойства керамики твердых растворов γ-Gd
x
Dy
1-x
S
1.5-y
537
Рогинский Е.М., Смирнов М.Б.
Электронная структура и нелинейная диэлектрическая восприимчивость γ-фазы оксида теллура
547
Ghosh S., Dubey S., Jain K.
Temporal Instability of Acoustic Wave in a Semiconductor Plasma Medium under Momentum Mismatched Condition
554
Gassoumi M.
Conductance Deep-Level Transient Spectroscopy and Current Transport Mechanisms in Au|Pt|n-GaN Schottky Barrier Diodes
555
Диэлектрики
Филатов Д.О., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Белов А.И., Баранова В.Н., Шенина М.Е., Горшков О.Н.
Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами
556
Магнетизм
Коплак O.В., Дворецкая Е.В., Таланцев А.Д., Королев Д.В., Валеев Р.А., Пискорский В.П., Денисова А.С., Моргунов Р.Б.
Ориентационная зависимость магнитного момента микропроводов alpha-Fe(PrDy)(CoFeB)
562
Сегнетоэлектричество
Нечаев В.Н., Шуба А.В.
Об аномальном влиянии внешнего электрического поля на фазовый переход второго рода в тонкой сегнетоэлектрической пленке
567
Ханнанов Б.Х., Головенчиц Е.И., Санина В.А.
Фрустрация обменно-стрикционного сегнетоэлектрического упорядочения и рост электрической поляризации областей фазового расслоения в твердых растворах R
0.8
Ce
0.2
Mn
2
O
5
(Er, Tb)
574
Камзина Л.С., Li G.
Влияние концентрации La на кинетику индуцированного фазового перехода в прозрачной керамике PbMg
1/3
Nb
2/3
O
3
-25PbTiO
3
584
Механические свойства, физика прочности и пластичность
Бойко Ю.М., Марихин В.А., Москалюк О.А., Мясникова Л.П.
Особенности статистических распределений прочностей моно- и полифиламентных ультраориентированных высокопрочных волокон сверхвысокомолекулярного полиэтилена
590
Примесные центры
Одринский А.П.
Эффект модификации вклада термоэмиссии локализованных зарядов в релаксацию фотоотклика монокристалла TlGaSe
2
596
Динамика решетки
Конюх Д.А., Бельтюков Я.М.
Применение теории случайных матриц для описания бозонного пика в двумерных системах
603
Фазовые переходы
Берзин А.А., Морозов А.И., Сигов А.С.
Двумерные O(n)-модели с дефектами типа "случайная локальная анизотропия"
610
Физика поверхности, тонкие пленки
Томилина О.А., Бержанский В.Н., Томилин С.В.
Влияние перколяционного перехода на электропроводящие и оптические свойства сверхтонких металлических пленок
614
Алтунин Р.Р., Моисеенко Е.Т., Жарков С.М.
Влияние структурных свойств на электросопротивление тонких пленок Al/Ag в процессе твердофазной реакции
621
Тепловые свойства
Новиков В.В., Митрошенков Н.В., Кузнецов С.В., Попов П.А., Бучинская И.И., Каримов Д.Н., Кошелев А.В.
Ангармонизм колебаний решетки и тепловые свойства твердых растворов Сd
1-x
Sr
x
F
2
627
Чернодубов Д.А., Майборода И.О., Занавескин М.Л., Инюшкин А.В.
Особенности теплопереноса в гетероструктурах Al
x
Ga
1-x
N/GaN на сапфире
635
Денисова Л.Т., Голубева Е.О., Чумилина Л.Г., Денисов В.М.
Синтез, структура и теплофизические свойства оксидов системы YVO_4-BiVO
4
640
Учредители
Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издатель
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
© 2024
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme