Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111) до образования смачивающего слоя

Тийс С.А.¹, Талочкин А.Б.¹, Романюк К.Н.¹, Ольшанецкий Б.З.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: teys@isp.nsc.ru

Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом сканирующей туннельной микроскопии исследовался рост наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111). Возможность реализации островкового или многослойного механизма роста на этапе формирования смачивающего слоя Ge на Si (111) при потоках Ge около 10^-3 BL/min и температурах эпитаксии 350-500^oC позволил получить массивы островков высотой в 3 BL с плотностью 10⁹-10¹² cm^-2. На вицинальных поверхностях Si (111) наблюдался рост нанопроволок Ge постоянной высоты с шириной, зависящей от величины покрытия Ge. Коэффициенты поверхностной диффузии адатомов Ge на поверхности Ge со структурой (5x 5) в несколько раз больше коэффициентов диффузии на поверхности со структурой (7x 7). В спектрах комбинационного рассеяния света на оптических фононах от поверхности с островками высотой в 3 BL наблюдалась серия линий, связанных с квантованием фононного спектра в направлении роста [111]. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16844-a и 03-02-16506-a), Министерством промышленности, науки и технологий (госконтракт N 40.012.1.1.1153).

V.A. Markov, H.H. Cheng, ChiH-ta Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. McGlynn, M.O. Henry. Thin Solid Films 369, 79 (2000)
O.P. Pchelyakov, Yu.B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, B. Voigtlander. Thin Solid Films 367, 75 (2000)
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 11, 1281 (2000)
K. Brunner. Rep. Prog. Phys. 65, 27 (2002)
U. Koehler, J.E. Demuth, R.J. Hamers. J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2860 (1989)
U. Koehler, O. Jusko, G. Pietsch, B. Muller, M. Henzler. Surf. Sci. 248, 321 (1991)
B. Voigtlaender, A. Zinner. Surf. Sci. 351, L233 (1996)
N. Motta, A. Sgarlata, R. Calarco, Q. Nguyen, J. Castro Cal, F. Patella, Balzarotti, M. De Crescenzi. Surf. Sci. 406, 254 (1998)
S.A. Teys, B.Z. Olshanetsky. Phys. Low-Dim. Struct. 1/2, 37 (2002)
J. Tersoff, van der Gon A.W. Denier, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett. 72, 2, 266 (1994)
Y.P. Zhang, L. Yan, S.S. Xie, S.J. Pang, H.-J. Gao. Surf. Sci. 498, L60 (2002)
B. Voigtlaender. Surf. Sci. Reports 43, 127 (2001)
J. Wei, X. S. Wang, J.L. Goldberg et al. Phys. Rev. Lett. 68, 3885 (1992)
A.B. Talochkin, S.A. Teys. JETP Lett. 75, 6, 264 (2002)
И.И. Новак, В.В. Баптизманский, Л.В. Жога. Оптика и спектроскопия 43, 252 (1977)
F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B 5, 580 (1972)
W. Weber. Phys. Rev. B 15, 4789 (1977)
А.Б. Талочкин, В.А. Марков, А.И. Никифоров, С.А. Тийс. Письма в ЖЭТФ 70, 279 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель