Методом сканирующей туннельной микроскопии исследовался рост наноостровков и нанопроволок Ge на сингулярных и вицинальных поверхностях Si (111). Возможность реализации островкового или многослойного механизма роста на этапе формирования смачивающего слоя Ge на Si (111) при потоках Ge около 10^-3 BL/min и температурах эпитаксии 350-500^oC позволил получить массивы островков высотой в 3 BL с плотностью 10⁹-10¹² cm^-2. На вицинальных поверхностях Si (111) наблюдался рост нанопроволок Ge постоянной высоты с шириной, зависящей от величины покрытия Ge. Коэффициенты поверхностной диффузии адатомов Ge на поверхности Ge со структурой (5x 5) в несколько раз больше коэффициентов диффузии на поверхности со структурой (7x 7). В спектрах комбинационного рассеяния света на оптических фононах от поверхности с островками высотой в 3 BL наблюдалась серия линий, связанных с квантованием фононного спектра в направлении роста [111]. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16844-a и 03-02-16506-a), Министерством промышленности, науки и технологий (госконтракт N 40.012.1.1.1153).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.