Вышедшие номера
Компонентный состав и упругие напряжения в многослойных структурах с наноостровками Si1-xGex
Валах М.Я.1, Джаган 1, Литвин П.М.1, Юхимчук В.А.1, Красильник З.Ф.2, Новиков А.В.2, Лобанов Д.Н.2
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: valakh@isp.kiev.ua
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

С помощью спектроскопии КРС определены компонентный состав и механические напряжения в Si1-xGex-наноостровках, содержащихся в многослойной и однослойной структурах, выращенных в одинаковых условиях. Показано, что возрастание содержания кремния в островках в многослойной структуре не приводит к большей (по сравнению с одиночным слоем островков) их релаксации из-за отсутствия свободной поверхности. Экспериментально получен спектр рассеяния на свертках акустических фононов с довольно малыми полуширинами полос, что свидетельствует о высоком качестве выращенных сверхрешеток с наноостровками. Работа выполнена при поддержке Украинско-российской программы "Нанофизика" и INTAS-проекта N 01-444.