Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Самоформирование квантовых точек Ge в гетероэпитаксиальной системе CaF₂/Ge/CaF₂/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе

Соколов Л.В.^1,2, Дерябин А.С.², Якимов А.И.², Пчеляков О.П.², Двуреченский А.В.²

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: sokolov@isp.nsc.ru

Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии создана гетероэпитаксиальная структура CaF₂/Ge/CaF₂/Si (111) с квантовыми точками Ge. При комнатной температуре наблюдались отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции проводимости, обусловленные резонансным туннелированием дырок. Энергетическое расстояние между уровнями в квантовых точках, определенное из периода осцилляций, составляет 40-50 meV в зависимости от размера точек Ge. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-17900).

V. Ioannou-Sougleridis, V. Tsakiri, A.G. Nassiopoulov, P. Photopoulos, F. Bassani, Arnaud D'Avitaya. Phys. Stat. Sol. (a) 165, 97 (1998)
Y. Inoue, A. Tanaka. J. Appl. Phys. 86, 3199 (1999)
A.I. Yakimov, A.S. Derjabin, L.V. Sokolov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii, M.M. Moiseeva, N.S. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 81, 3, 499 (2002)
U. Meirav, E.B. Foxman. Semicond. Sci. Technol. 10, 255 (1995)
A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Nanotechnology 13, 75 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель