Представлены результаты исследований фундаментальных колебаний в структурах Ge/Si c напряженными и срелаксированными квантовыми точками Ge, выполненных с помощью резонансного комбинационного рассеяния света. Самоорганизованные напряженные квантовые точки Ge/Si выращены в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si, ориентированных в направлении (001). Выращивание ультратонкого слоя оксида кремния до нанесения слоя Ge позволяло формировать срелаксированные квантовые точки Ge. Резонансное комбинационное рассеяние света, селективное по размеру квантовых точек, позволило однозначно идетифицировать линию вблизи 300 cm^-1, обусловленную оптическими фононами, локализованными в срелаксированных квантовых точках Ge. Изучено влияние эффектов локализации и механических напряжений на колебательный спектр структур с квантовыми точками Ge. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17746) и ИНТАС (грант N 01-0444).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.