Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние характера пробоя p-n-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er³⁺ в эпитаксиальных слоях Si : Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Шмагин В.Б.¹, Ремизов Д.Ю.¹, Красильник З.Ф.¹, Кузнецов В.П.¹, Шабанов В.Н.¹, Красильникова Л.В.¹, Крыжков Д.И.¹, Дроздов М.Н.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: shm@ipm.sci-nnov.ru

Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

PDF версия

На примере серии светоизлучающих диодных структур Si : Er / Si с плавно меняющимся механизмом пробоя p-n-перехода, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, исследовано влияние механизма пробоя на электролюминесцентные свойства структур. Показано, что максимальные интенсивности и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er³⁺ при комнатной температуре достигаются в диодных структурах, работающих в режиме смешанного пробоя. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16773), Минпромнауки РФ (Госконтракт N 40.020.1.1.1159).

H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett. 43, 943 (1983)
H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, W. Haydl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett. 46, 381 (1985)
G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys. 81, 2784 (1997)
G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1994)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett. 71, 1930 (1997)
S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. Appl. Phys. Lett. 69, 2077 (1996)
N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishhenkov. J. Lumin. 80, 315 (1999)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП 34, 519 (2000)
Е.Н. Морозова, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 283 (2003)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Ч. 1. С. 106
И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. Энергия, Л. (1980). 152 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель