Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ
Шенгуров В.Г.1, Светлов С.П.1, Чалков В.Ю.1, Андреев Б.А.2, Красильник З.Ф.2, Крыжков Д.И.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: svetlov@phys.unn.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Приведены результаты выращивания эпитаксиальных слоев кремния, легированных эрбием, с использованием двух разных режимов роста: обычной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и твердофазной эпитаксии (ТФЭ). Показано, что легированный эрбием слой кремния при его осаждении методом ТФЭ на холодную подложку и последующем отжиге проявляет более интенсивную фотолюминесценцию на длине волны 1.54 mum, чем слои, выращенные методом МЛЭ. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439 и 02-02-16773) и Минпромнауки РФ (госконтракты N 40.020.1.1.1161 и 40.020.1.1.1159).
- Н.А. Соболев. ФТП 29, 1153 (1995)
- A. Polman. J. Appl. Phys. 82, 1 (1997)
- Y.Ho Xie, E.A. Fitzgerald, Y.J. Mii. J. Appl. Phys. 70, 1153 (1991)
- H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackmann et al. Semicond. Sci. Technol. 8, 236 (1993)
- R. Serna, M. Lohmeier et al. Appl. Phys. Lett. 66, 1385 (1995)
- V.G. Zavodiskii, A.V. Zotov. Phys. Stat. Sol. (a). 72, 391 (1982).
- С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров. ПТЭ 4, 141 (2000)
- H. Przybylinska et al. Phys. Rev. B 54, 2532 (1996)
- I.G. Kaverina, V.V. Korobtsov, V.G. Lifshits. Thin Sold Films 177, 101 (1984)
- C.W. Nogee, J.C. Bean, C. Foti, J.M. Poate. Thin Sold Films 81, 1 (1981).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
