Исследована01k собственная электролюминесценция (ЭЛ) кремниевого светодиода при прямом смещении на p-n-переходе. Значительное возрастание интегральной интенсивности ЭЛ при изменении температуры от температуры жидкого азота до комнатной и одновременном увеличении времени спада ЭЛ при выключении тока через диод указывает на термическое подавление канала нерадиационной рекомбинации, связанного с глубокими ловушками. Построенная нами простая модель излучательных процессов в p-n-переходе позволяет объяснить всю совокупность полученных экспериментальных результатов. Показано, что при оптимальных уровнях легирования p- и n-областей диода внутренний квантовый выход ЭЛ может достигать нескольких процентов. Работа выполнена при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований, Нидерландской организации научных исследований (NWO), Министерства науки и технологии Российской Федерации и программы "Новые материалы и структуры" Отделения физических наук РАН.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.