Краевая электролюминесценция (ЭЛ) кремния наблюдалась на гетероструктуре аморфный кремний-кристаллический кремний (a-Si : H(n)/c-Si(p)) в температурной области от 77 до 300 K. Внутренний квантовый выход ЭЛ при комнатной температуре для исследованной структуры составил около 0.1%. Теоретический анализ эмиссионных свойств гетероперехода a-Si : H(n)/c-Si(p), основанный на модели резкого планарного p-n-перехода, показал, что при оптимальном легировании внутренний квантовый выход ЭЛ может достигать нескольких процентов при частоте модуляции около 50 kHz. Работа выполнена при поддержке грантов Российского фонда фундаментальных исследований, Нидерландской организации научных исследований (NWO), Министерства науки и технологий Российской Федерации и программы "Новые материалы и структуры" отделения физических наук РАН.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.