Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотолюминесценция Si / Ge-наноструктур, выращенных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии

Бурбаев Т.М.¹, Курбатов В.А.¹, Погосов А.О.¹, Рзаев М.М.¹, Сибельдин Н.Н.¹, Цветков В.А.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: burbaev@maill.lebedev.ru

Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы фотолюминесценция и атомно-силовая микроскопия многослойных Si / Ge-наноструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких (250-300^oC) температурах осаждения германия. Сделано предположение, что при низкотемпературной эпитаксии смачивающий слой формируется путем сращивания двумерных (2d) и трехмерных (3d) наноостровков. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-17191), Программы Президиума РАН "Низкоразмерные квантовые структуры" (проект 7.12) и Программы поддержки ведущих научных школ.

О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитинов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 11, 1281 (2000)
G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, E. Silveira, A. Zrenner, D. Meertens, W. Jager. Semicond. Sci. Technol. 11, 1521 (1996)
P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter, A.A. Darhuber, G. Bauer, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Vac. Sci. Technol. B 16, 3, 1575 (1998)
O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Appl. Phys. Lett. 75, 1905 (1999)
А.Б. Талочкин, А.В. Ефанов, В.А. Марков, А.И. Никифоров. Изв. РАН. Сер. физ. 63, 2, 290 (1999)
V.A. Markov, H.H. Cheng, Chin-ta-Chia, A.I. Nikiforov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov, K.S. Zhuravlev, A.B. Talochkin, E. McGlynn, M.O. Henry. Thin Solid Films 369, 79 (2000)
Т.М. Бурбаев, Т.Н. Заварицкая, В.А. Курбатов, Н.Н. Мельник, В.А. Цветков, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров. ФТП 35, 3, 979 (2001)
J. Brunner, J.F. Nutzel, M. Gail, U. Menczigar, G. Abstreiter. J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1097 (1993)
Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, Т.Н. Заварицкая, Н.Н. Мельник, А.О. Погосов, В.А. Цветков, Н.Н. Сибельдин. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 2, 163 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель