Индуцированная межзонным светом ступенчатая фотопроводимость структур Si / Ge с квантовыми точками
Шегай О.А.1, Марков В.А.1, Никифоров А.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: shegai@thermo.isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
При увеличении интенсивности межзонного света обнаружен ступенчатый рост сигнала низкотемпературной латеральной фотопроводимости структур Si / Ge, содержащих шесть слоев квантовых точек германия в матрице кремния. Как и ранее в структурах с одним слоем квантовых точек, рост тянущего поля приводит к смещению положения ступенек в область меньших интенсивностей света. Обнаружено, что смещение положения ступенек в область малых интенсивностей света происходит также и под действием темнового тянущего поля. Результаты обсуждаются в рамках теории протекания неравновесных электронов, локализованных в состояниях между квантовыми точками. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16466, 03-02-16468).
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 11, 1281 (2000)
- O.A. Shegai, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, A.S. Shaimuratova, K.S. Zhuravlev. PLDS 1 / 2, 261 (2002).
- О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, А.Ш. Шаймуратова. Изв. АН. Сер. физ. 67, 2, 192 (2003)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
- О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. ФТП 34, 11, 1363 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
