При увеличении интенсивности межзонного света обнаружен ступенчатый рост сигнала низкотемпературной латеральной фотопроводимости структур Si / Ge, содержащих шесть слоев квантовых точек германия в матрице кремния. Как и ранее в структурах с одним слоем квантовых точек, рост тянущего поля приводит к смещению положения ступенек в область меньших интенсивностей света. Обнаружено, что смещение положения ступенек в область малых интенсивностей света происходит также и под действием темнового тянущего поля. Результаты обсуждаются в рамках теории протекания неравновесных электронов, локализованных в состояниях между квантовыми точками. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16466, 03-02-16468).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.