Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Si/Ge наноструктуры для применений в оптоэлектронике
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
Email: cirlin@beam.ioffe.rssi.ru; egorov_v@mail.ru, egorov_v@mail.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.
Исследованы оптические и структурные свойства многослойных Si/Ge структур с докритическими, а также близкими к критическим включениями германия в кремниевую матрицу, при которых происходит переход от двумерного к островковому росту. Показана возможность получения интенсивной фотолюминесценции при комнатной температуре в обоих случаях при оптимально подобранных ростовых параметрах. Предлагаемые подходы создания активной области являются перспективными для оптоэлектронных применений на основе кремния. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ. Один из авторов (Г.Э.Ц.) выражает признательность Alexander von Humboldt Stiftung.
- S.F. Fang, K. Adomi, S. Iyer, H. Morko, H. Zabel, C. Choi, N. Otsuka. J. Appl. Phys. 68, R31 (1990)
- N.N. Ledentsov. In: Proc. of the 23rd Internat. Conf. on the Physics of Semiconductors / Ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann. World Scientific, Singapoure (1996). Vol. 1. P. 19
- N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, R. Heitz, D. Bimberg, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, N.K. Polyakov, V.N. Petrov, V.A. Egorov, G.E. Cirlin. Appl. Phys. Lett. 76, 2677 (2000)
- S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. Appl. Phys. Lett. 69, 2077 (1996)
- L. Colace, G. Masini, G. Asanto, H.C. Luan, K. Wada, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett. 76, 1231 (2000)
- Г.Э. Цырлин, П. Вернер, У. Гёзеле, Б.В. Воловик, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов. Письма в ЖТФ 27, 1, 31 (2001)
- G.E. Cirlin, V.A. Egorov, B.V. Volovik, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele. Nanotechnology 12, 417 (2001)
- N.D. Zakharov, P. Werner, U. Gosele, G. Gerth, G.E. Cirlin, V.A. Egorov, B.V. Volovik. Mater. Sci. Eng. B 87, 92 (2001)
- S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kayander, E.Yu. Kondrat'eva, D.A. Livshitz, I.S. Tarasov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semiconductors 34, 119 (2000)
- А.Г. Макаров, Н.Н. Леденцов, А.Ф. Цацульников, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, В.М. Устинов, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП 37, 2, 219 (2003)
- J. Wang, G.L. Jin, Z.M. Jiang, Y.H. Luo, J.L. Liu, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett. 78, 1763 (2001)
- G.E. Cirlin, V.N. Petrov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, V.G. Dubrovskii, G.M. Guryanov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Surf. Sci. 377-379, 895 (1997)
- А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. ФТП 35, 9, 1143 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
