Исследованы параметры кремниевых светодиодов, полученных ионной имплантацией бора в n-Si и последующим отжигом при температурах 700-1200^oC. Максимальная внутренняя квантовая эффективность электролюминесценции (ЭЛ) в области зона-зонных переходов при комнатной температуре оценена на уровне 0.4% и достигнута при температуре отжига 1100^oC. Эта величина изменялась не более чем в 2 раза в области рабочих температур 80-500 K. При различных токах исследованы кинетики нарастания и спада ЭЛ. Интенсивность ЭЛ после начального нелинейного участка изменялась линейно с ростом тока. Показано, что для объяснения этого результата, по-видимому, потребуется пересмотр некоторых современных физических представлений, описывающих рекомбинацию носителей заряда в кремниевых диодах. Работа выполнена при поддержке INTAS (грант N 2001-0194), Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374) и отделением физических наук РАН в рамках научной программы "Новые материалы и структуры".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.