Влияние деформационных напряжений на оптические характеристики эпитаксиальных пленок ZnSe на GaAs(100)
Коваленко А.В.1, Мекекечко А.Ю.1
1Днепропетровский государственный университет
Поступила в редакцию: 16 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.
- Yao T., Matsui S., Ishida K. J. Cryst. Growth. 1987. V. 81. P. 518--523
- Сейсян Р.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М., 1984. 272 с
- Asai N., Oe K. J. Appl. Phys. 1983. V. 54. N. 4. P. 2052--2056
- Коваленко А.В., Мекекечко А.Ю., Бондарь Н.В. ФТП. 1992. Т. 26. N 7. С. 1251--1255
- Petruzello J., Greenberg B.L., Cammack D.A. J. Appl. Phys. 1988. V. 63. N 7. P. 2299--2303
- Mohammed K., Cammak D.A., Dalby R. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. N 1. P. 37--39
- Fujiyasu N., Mochizuki K. J. Appl. Phys. 1985. V. 57. N 8. P. 2960--2962
- Kanda T., Suemine I., Yamada K. J. Cryst. Growth. 1988. V. 93. P. 662--666
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук