Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре: кристаллическая структура, свойства, сверхпроводимость
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 28 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.
Исследованы свойства арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температурах 150-250 o C (LT- GaAs). Такой материал содержит до 1.5 ат.% избыточного мышьяка, который при отжиге формирует кластеры нанометрового размера. Определены зависимости концентрации избыточного мышьяка, концентрации кластеров и их размера от условий получения образцов. Пленки LT- GaAs являются высокоомными, однако при исследовании микроволнового поглощения от слабого магнитного поля регистрируется характеристический сигнал, присущий сверхпроводящей фазе. Показано, что этот сигнал, по-видимому, не связан ни со сверхпроводимостью кластеров мышьяка в пленке LT- GaAs, ни со сверхпроводимостью кластеров индия в подложке, как это предполагалось ранее. Высказана гипотеза о том, что сверхпроводящая фаза может представлять собой кластеры галлия или индий-галлиевого сплава, образующиеся в процессе роста эпитаксиального слоя.
- Smith F.W., Calawa A.R., Chang--Lee Chen, Mantra M.J., Mahonev L.J. IEEE Electron Devices Lett. 1988. V. 9. P. 77
- Kaminska M., Liliental-Weber Z., Weber E.R., George T., Kortright J.B., Smith F.W., Tsang B.-Y., Calawa A.R. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 1831
- Melloch M.R., Mahalingam K., Otsuka N., Woodall J.M., Warren A.C. J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 39
- Pechner R.A., Johnson D.A., Shiralagi K.T., Gerber D.S., Dropad R., Maracas G.N. J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 43
- Viturro R.E., Melloch M.R., Woodall J.M. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 3007
- Klingenstein M., Kuhl J., Notzel R., Ploog K., Rozenweig J., Moglestue C., Hulsmann A., Schneider Jo. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 627
- Baranowsky J.M., Liliental-Weber Z., Yau W.F., Weber E.R. Phys. Rev. Lett. 1991. V. 66. P. 3079
- Li V.K., Huang Y., Fan Z., Jiang C., Mei X.B., Yin B., Zhou J.M., Mao J.C., Fu J.S., Wu E. J. Appl. Phys. 1991. V. 71. N 4. P. 2018
- Дворянская Г.Г., Яссен М.Л., Дворянкин В.Ф., Петров А.Г., Степанова Т.С. Поверхность. 1987. Т. 16. С. 89--93
- Преображенский В.В., Лубышев Д.И., Мигаль В.П. Поверхность. 1989. Т. 9. С. 156--158
- Мошегов Н.Т., Стенин С.И., Торопов А.И. Поверхность. 1990. Т. 5. С. 83--89
- Cullis A.G., Augustus P.D., Stirland D.J. J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 5. P. 2556--2560
- Lee B.-T., Bourett E.D., Gronsky R., Park I. J. Appl. Phys. 1989. V. 65(3). P. 1030--1035
- Melloch M.R., Otsuka N., Woodall J.M., Warren A.C., Freeouf J.L. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N 15. P. 1531--1533
- Yu P.W., Reynolds D.C., Stutz C.E. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. P. 1432
- Kheifets A.S., Veinger A.I. Physica C. 1990. V. 165. P. 491
- Masterov V.F., Egorov A.I., Gerasimov N.P., Kozyrev S.V., Likholit I.L., Saveliev I.G., Fyodorov A.F., Shtel makh K.F. Pis'ma JETP. 1987. V. 46. P. 289
- Lavrentieva L.G., Ivonin I.V., Krasilnikova L.M., Vilisova M.D. Kristall und Technik. 1980. V. 15. N 6. P. 683--689
- Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Преображенский В.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. ФТП. 1989. Т. 23. N 10. С. 1913
- Giaver L., Zeller H.R. Phys. Rev. Lett. 1968. V. 20. P. 1504
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
