Вышедшие номера
Арсенид галлия, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре: кристаллическая структура, свойства, сверхпроводимость
Берт Н.А.1, Вейнгер А.И.1, Вилисова М.Д.1, Голощапов С.И.1, Ивонин И.В.1, Козырев С.В.1, Куницын А.Е.1, Лаврентьева Л.Г.1, Лубышев Д.И.1, Преображенский В.В.1, Семягин Б.Р.1, Третьяков В.В.1, Чалдышев В.В.1, Якубеня М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Исследованы свойства арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температурах 150--250 o C (LT- GaAs). Такой материал содержит до 1.5 ат.% избыточного мышьяка, который при отжиге формирует кластеры нанометрового размера. Определены зависимости концентрации избыточного мышьяка, концентрации кластеров и их размера от условий получения образцов. Пленки LT- GaAs являются высокоомными, однако при исследовании микроволнового поглощения от слабого магнитного поля регистрируется характеристический сигнал, присущий сверхпроводящей фазе. Показано, что этот сигнал, по-видимому, не связан ни со сверхпроводимостью кластеров мышьяка в пленке LT- GaAs, ни со сверхпроводимостью кластеров индия в подложке, как это предполагалось ранее. Высказана гипотеза о том, что сверхпроводящая фаза может представлять собой кластеры галлия или индий-галлиевого сплава, образующиеся в процессе роста эпитаксиального слоя.
  1. Smith F.W., Calawa A.R., Chang--Lee Chen, Mantra M.J., Mahonev L.J. IEEE Electron Devices Lett. 1988. V. 9. P. 77
  2. Kaminska M., Liliental-Weber Z., Weber E.R., George T., Kortright J.B., Smith F.W., Tsang B.-Y., Calawa A.R. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 1831
  3. Melloch M.R., Mahalingam K., Otsuka N., Woodall J.M., Warren A.C. J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 39
  4. Pechner R.A., Johnson D.A., Shiralagi K.T., Gerber D.S., Dropad R., Maracas G.N. J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 43
  5. Viturro R.E., Melloch M.R., Woodall J.M. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 3007
  6. Klingenstein M., Kuhl J., Notzel R., Ploog K., Rozenweig J., Moglestue C., Hulsmann A., Schneider Jo. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P. 627
  7. Baranowsky J.M., Liliental-Weber Z., Yau W.F., Weber E.R. Phys. Rev. Lett. 1991. V. 66. P. 3079
  8. Li V.K., Huang Y., Fan Z., Jiang C., Mei X.B., Yin B., Zhou J.M., Mao J.C., Fu J.S., Wu E. J. Appl. Phys. 1991. V. 71. N 4. P. 2018
  9. Дворянская Г.Г., Яссен М.Л., Дворянкин В.Ф., Петров А.Г., Степанова Т.С. Поверхность. 1987. Т. 16. С. 89--93
  10. Преображенский В.В., Лубышев Д.И., Мигаль В.П. Поверхность. 1989. Т. 9. С. 156--158
  11. Мошегов Н.Т., Стенин С.И., Торопов А.И. Поверхность. 1990. Т. 5. С. 83--89
  12. Cullis A.G., Augustus P.D., Stirland D.J. J. Appl. Phys. 1980. V. 51. N 5. P. 2556--2560
  13. Lee B.-T., Bourett E.D., Gronsky R., Park I. J. Appl. Phys. 1989. V. 65(3). P. 1030--1035
  14. Melloch M.R., Otsuka N., Woodall J.M., Warren A.C., Freeouf J.L. Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N 15. P. 1531--1533
  15. Yu P.W., Reynolds D.C., Stutz C.E. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. P. 1432
  16. Kheifets A.S., Veinger A.I. Physica C. 1990. V. 165. P. 491
  17. Masterov V.F., Egorov A.I., Gerasimov N.P., Kozyrev S.V., Likholit I.L., Saveliev I.G., Fyodorov A.F., Shtel makh K.F. Pis'ma JETP. 1987. V. 46. P. 289
  18. Lavrentieva L.G., Ivonin I.V., Krasilnikova L.M., Vilisova M.D. Kristall und Technik. 1980. V. 15. N 6. P. 683--689
  19. Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Преображенский В.В., Чалдышев В.В., Шмарцев Ю.В. ФТП. 1989. Т. 23. N 10. С. 1913
  20. Giaver L., Zeller H.R. Phys. Rev. Lett. 1968. V. 20. P. 1504

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.