Проявление эффекта размерного квантования в легированных полупроводником стеклах ОС и КС
Днепровский В.С.1, Караванский В.А.1, Климов В.И.1
1Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова
Поступила в редакцию: 29 октября 1992 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.
В разрешенных во времени спектрах нелинейного пропускания промышленных стекол, легированных полупроводниками CdSxSe1-x, зарегистрированы полосы просветления, связанные с насыщением оптических переходов между уровнями размерного квантования в системе пространственно-локализованных электронов и дырок. Хорошо выраженная дискретная структура спектров нелинейного пропускания объяснена селекцией нанокристаллов полупроводника по размерам при возбуждении узкополосным лазерным возбуждением, приводящим к частичному подавлению эффектов неоднородного уширения. Измерены характерные времена релаксации нелинейности, оценены значения нелинейной кубической восприимчивости исследуемых образцов.
- Yumoto J., Fukushima S., Kubodera K. Opt. Lett. 1987. V. 12. N 10. P. 832--834
- Acioli L.H., Gomes A.S., de Araujo C.B. Electr. Lett. 1989. V. 25. N 11. P. 720--721
- Вандышев Ю.В., Днепровский В.С., Климов В.И., Окороков Д.К. Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 54. N 8. С. 441--444
- Zimin L.G., Gaponenko S.V., Lebed V.Yu. Phys. St. Sol. (b). 1988. V. 150. P. 653--656
- Gribkovskii V.P., Zyulkov V.A., Kozachenko A.E., Tikhomirov S.A. Phys. St. Sol. (b). 1988. V. 150. P. 647--652
- Borrelli N.F., Hall D.W., Holland H.J., Smith D.W. J. Appl. Phys. 1987. V. 61. P. 5389--5409
- Roussignol P., Ricard D., Flytzanis C. Appl. Phys. A. 1987. V. 44. P. 285--292
- Эфрос Ал.Л., Эфрос А.Л. ФТП. 1982. Т. 16. N 7. С.1209--1214
- Alivisatos A.P., Harris A.L., Levinson N.J., Steigerwald M.L., Brus L.E. J. Chem. Phys. 1988. V. 89. N 7. P. 4001--4011
- Климов В.И. ФТТ. 1992. Т. 34. N 8. С. 2472--2481
- Вандышев Ю.В., Днепровский В.С., Климов В.И. ЖЭТФ. 1992. Т. 101. N 1. С. 270--284
- Баранов А.В., Бобович Я.С., Петров В.И. Опт. и спектр. 1988. Т. 64. N 5. С. 1066--1069
- Tu A., Persous P.D. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 14. P. 1506--1508
- Gribkovskii V.P., Zaporozhchenko R.G., Zyulkov V.A., Kazachenko A.E., Lozovskii V.I. Superlattices and microstructures. 1991. V. 10. N 4. P. 441--446
- Schmitt-Rink S., Miller D.A., Chemla D.S. Phys. Rev. B. 1987. N 35. P. 8113--8125
- Сегал Б., Мэрпл М. Физика и химия соединений A_2B_6 / Под ред. С.А.Медведева. М.: Мир, 1970. С. 246--295
- Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1986
- Uhrig A., Banyai L., Hu Y.Z., Koch S.W., Gaponenko S., Neuroth N., Klingshirn C. Proc. Intern. Conf. on Physics of Semiconductors (Thessaloniki, 1990) / Ed. E.M.Anastassakis, J.D.Jannopoulos. Word Scientific: Singapore, 1991. P. 2395--2398
- Dneprovskii V.S., Efros Al.L., Ekimov A.I., Klimov V.I., Kudriavtsev I.A., Novikov M.G. Sol. St. Comm. 1990. V. 74. N 7. P. 555--557
- Tomita M., Matsumoto T., Matsuoka M. Opt. Soc. Am. 1989. V. 6. N 2. P. 165--170
- Williams V.S., Olbright G.R., Fluegel B.D., Koch S.W., Peyghambarian N. J. Mod. Opt. 1988. V. 35. N 12. P. 1979--1993
- de Rougemont F., Frey R., Roussignol P., Ricard D., Flytzanis C. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 50. N 23. P. 1619--1621
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
