Вышедшие номера
Спектральная зависимость эффекта Ханле, обусловленная диффузией оптически ориентированных электронов в полупроводниках p-типа
Джиоев Р.И.1, Захарченя Б.П.1, Ичкитидзе Р.Р.1, Кавокин К.В.1, Пак П.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Приведены результаты подробного теоретического и экспериментального исследования поляризации люминесценции оптически ориентированных электронов, диффундирующих в слоях прямозонного полупроводника p-типа (GaAs) при наличии самопоглощения. Работа включает в себя расчет степени циркулярной поляризации на различных длинах волн рекомбинационного излучения и ее зависимости от поперечного магнитного поля (эффект Ханле) для ''полубесконечного'' образца с учетом поверхностной рекомбинации. Приводится сравнение результатов расчета с данными эксперимента. Для тонких слоев GaAs (с толщиной порядка диффузионной длины электронов) исследована спиновая поляризация люминесценции в геометрии ''на просвет'' и ''на отражение''. Показана необходимость учета диффузии и самопоглощения при определении релаксационных времен электронов методом оптической ориентации.