В выращенных слоистых монокристаллах TlInS₂ изучены частотные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь, диэлектрической проницаемости и электропроводности поперек слоев в диапазоне частот 10³-3· 10⁷ Hz. Показано, что при частотах f<6.4· 10⁵ Hz tgdelta=1.106f^-0.5, а при f>10⁶ Hz tgdelta=5.22· 10^-8f^0.7. Диэлектрическая проницаемость образцов из TlInS₂ в указанной области частот изменялась от 9.56 до 13.1. В частотной области 10³-10⁵ Hz sigma~ f^0.5, в области 10⁵-10⁶ Hz наблюдался f^0.8-закон для проводимости, при f<= 10 Hz sigma~ f². Установлено, что поперек слоев монокристаллов TlInS₂ в переменных электрических полях частотой 10⁵-10⁶ Hz имеет место прыжковый механизм переноса заряда по состояниям, локализованным вблизи уровня Ферми. Оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми N_F=6.5· 10¹⁸ eV^-1· cm^-3, разброс ловушечных состояний J~ 4· 10^-2 eV, среднее время прыжка tau=2 mus и среднее расстояние прыжка R=117 Angstrem.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.