Вышедшие номера
Оптические свойства кристаллов 2H SnS 2
Дубровский Г.Б.1, Жданович Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Выполнены измерения оптического пропускания кристаллов 2H SnS2 в области спектра от 0.5 до 25 mum. Из анализа интерференционных картин, записанных на образцах разной толщины, получены спектральные зависимости показателя преломления n и коэффициента отражения R. Определенные таким образом значения коэффициента отражения использовались при вычислениях коэффициента поглощения. Установлено, что форма края основной полосы поглощения 2H SnS2 характерна для непрямых разрешенных переходов с Eg=2.18±0.02 eV при участии фонона с энергией около 70 meV. Измерения ИК-пропускания показали наличие основного фононного пика при энергии 69 meV и еще двух более слабых пиков при энергиях 53 и 75 meV.