Вышедшие номера
Насыщение экситонного поглощения в многослойных квантовых ямах GaAs/AlGaAs при фемтосекундном лазерном возбуждении
Григорьев В.Н.1, Гринев В.И.1, Литвиненко В.Л.1, Лысенко В.Г.1, Першикова Н.И.1, Хвам И.М.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 7 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

В однолучевом эксперименте исследована трансформация экситонного резонанса в спектрах поглощения многослойных квантовых ям GaAs/AlGaAs при увеличении уровня фемтосекундного лазерного возбуждения. В интервале плотностей электронно-дырочных пар (1.6· 109-2· 1010 cm-2) обнаружено сильное просветление линий поглощения состояний экситонов с тяжелой (HHX) и легкой (LHX) дыркой при незначительном уширении. Наблюдаемые закономерности связываются с уменьшением эффективной силы осциллятора экситонного перехода вследствие заполнения фазового пространства одночастичных состояний. Получена оценка величины параметра насыщения силы осциллятора Ns=1.9· 1010 cm-2.