Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Перенос неравновесных носителей заряда в поликристаллических сегнетоэлектриках

Павлов А.Н.¹, Раевский И.П.¹

¹Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия Southern Federal University, Research Institute of Physics, Rostov-on-Don, Russia

Southern Federal University, Research Institute of Physics, Rostov-on-Don, Russia

Поступила в редакцию: 11 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что возникновение в поляризованных поликристаллических сегнетоэлектриках фотогальванического эффекта, а также появление тока в направлении поляризации перпендикулярно приложенному электрическому полю можно объяснить переносом неравновесных носителей заряда в поле асимметричных потенциальных барьеров вблизи заряженных границ раздела кристаллитов.

Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г. Когерентные эффекты в сегнетоэлектриках. М. (1989). 197 с
Белиничер В.И., Стурман Б.И. УФН 130, \it 3, 415 (1980)
Сандомирский В.Б., Халилов Ш.С., Ченский Е.В. ФТТ 24, \it 11, 3318 (1982)
Сандомирский В.Б., Халилов Ш.С., Ченский Е.В. ФТП 16, \it 3, 440 (1982)
Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М. (1977). 672 с
Шалимова И.В. Физика полупроводников. М. (1976). 416 с
Brody P.S., Crowne F. J. Electron. Mater. 4, \it 5, 955 (1975)
Brody P.S. Ferroelectrics 10, 1--4, 143 (1975)
Kappler W., Arlt G. Phys. Stat. Sol. (a) 63, 475 (1981)
Валеев Х.С., Квасков В.Б. Нелинейные металлооксидные полупроводники. М. (1983). 160 с
Heywang W. J. Amer. Ceram. Soc. 47, \it 10, 484 (1964)
Павлов А.Н. ФТТ 36, 3, 579 (1994)
Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М. (1976). 408 с
Uchino K., Miyazawa Y., Nomura S. Jap. J. Appl. Phys. 22 Suppl, 102 (1983)
Chervonobrodov S.P., Malitskaj M.A., Raevsky I.P., Sizkova I.A., Stitsenko E.V. Ferroelectrics 155, \it 1--4, 147 (1994)
Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. М. (1969). 407 с
Лехцер З.М., Бурсиан Э.В. Сегнетоэлектрики. Л. (1978). С. 89--110
Raevskii I.P., Bondarenko E.I., Pavlov A.N., Prokopalo O.I. Ferroelectrics 76, \it 1--2, 55 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель