Вышедшие номера
Формирование микродвойников в (001)-гетероэпитаксиальных слоях
Браун П.Д.1, Логинов Ю.Ю.1, Стоббс У.М.1, Хамфрейс К.Дж.1
1Красноярский государственный университет, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Методами обычной просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии (ПЭМ и ВРЭМ) исследован ряд эпитаксиальных гетероструктур A2B6/(001)GaAs, имеющих напряжения растяжения в эпитаксиальном слое, сжатия и практически полную компенсацию напряжений несоответствия на границе слоя-подложка. Обнаружено, что в эпитаксиальных слоях ZnS/GaAs, (Cd,Zn)Te/GaAs и (Cd,Zn)S/GaAs наблюдается анизотропия в распределении таких характерных дефектов, как микродвойники, которые наблюдаются исключительно в проекции [1 10], а их распространение в эпитаксиальном слое хорошо объясняется на основе модели роста. В то же время наблюдение за начальной стадией двойникования в (Hg,Mn)Te позволяет предположить, что деформационные механизмы должны быть также учтены при описании первой стадии формирования микродвойников. Подчеркивается необходимость разделения процессов деформации и роста при образовании микродвойников.