Формирование микродвойников в (001)-гетероэпитаксиальных слоях
Браун П.Д.1, Логинов Ю.Ю.1, Стоббс У.М.1, Хамфрейс К.Дж.1
1Красноярский государственный университет, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
Методами обычной просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии (ПЭМ и ВРЭМ) исследован ряд эпитаксиальных гетероструктур A2B6/(001)GaAs, имеющих напряжения растяжения в эпитаксиальном слое, сжатия и практически полную компенсацию напряжений несоответствия на границе слоя-подложка. Обнаружено, что в эпитаксиальных слоях ZnS/GaAs, (Cd,Zn)Te/GaAs и (Cd,Zn)S/GaAs наблюдается анизотропия в распределении таких характерных дефектов, как микродвойники, которые наблюдаются исключительно в проекции [1 10], а их распространение в эпитаксиальном слое хорошо объясняется на основе модели роста. В то же время наблюдение за начальной стадией двойникования в (Hg,Mn)Te позволяет предположить, что деформационные механизмы должны быть также учтены при описании первой стадии формирования микродвойников. Подчеркивается необходимость разделения процессов деформации и роста при образовании микродвойников.
- Guha S., DePuydt J.M., Haase M.A., Qiu J., Cheng H. Appl. Phys. Lett. 63, 3107 (1993)
- Ernst F., Pirouz P. J. Appl. Phys. 64, 4526 (1988)
- Angelo J.E., Gerberich W.W., Stobbs W.M., Bratina G., Sorba L., Franciosi A. Phil. Mag. Lett. 67, 279 (1993)
- Chew N., Cullis A.G. Ultramicroscopy 23, 175 (1987)
- Tafto J., Spence J.C.H. J. Appl. Cryst. 15, 60 (1982)
- Ishizuka K., Tafto J. Acta Cryst. B 40, 332 (1984)
- Spellward P., James D. Electron microscopy and analysis. Inst. Phys. Conf. Bristol, Philadelphia, N. Y. (1991). Ser. N 119. P 375--378
- Burgess W.G., Saunders M., Bird D., Humphreys C.J. Microbeam Analysis S222 (1993)
- Holt D.B. J. Mater. Sci. 23, 1131 (1988)
- Jones A.P.C., Brinkman A.W., Russell G.J., Woods J., Wright P.J., Cockayne B. J. Cryst. Growth 79, 729 (1986)
- Brown P.D., Hails J.E., Russell G.J., Woods J. Appl. Phys. Lett. 50, 1144 (1987)
- Durose K., Russell G.J. J. Cryst. Growth 101, 246 (1990)
- Brown P.D., Hails J.E., Russell G.J., Woods J. J. Cryst. Growth 86, 511 (1988)
- Durose K., Russell G.J. Microscopy Semicond. Mater. Inst. Phys. Bristol (1987). Ser. N 87. P. 327--332
- Brown P.D., Tromson--Carli A., Druilhe R., Triboulet R., Marfaing Y. Proc. 10^ th European Congress on Electron Microscopy. EUREM-92. University of Granada, Granada (1992). V 2. P. 101--102
- Sivananthan S., Chu X., Reno J., Faurie J.P. J. Appl. Phys. 60, 1359 (1986)
- Internat. Symposium on deslocations in tetragonally coordinated semiconductors. Colloque C6. Hunfeld/Fulda. J. de Physique 40 (1979)
- Androussi Y., Vanderschaeve G., Lefebvre A. Microscopy Semicond. Mater. Inst. Phys. Bristol (1987). Ser. N 87. P. 291--296
- Brown P.D., Kirkland A., Humphreys C.J. Inst. Phys. Conf. (1993). Ser. N 138. P. 209--212
- Gerthsen D., Ponce F.A., Anderson G.B. Phil. Mag. A 59, 1045 (1989)
- Pirouz P. Polycrystall. Semicond., Grain Doundaries and Interfaces. Proc. Intern. Sympos. Springer-Verlag Berlin (1989). V. 35. P. 200--212
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук