Вышедшие номера
Спектроскопия возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er
Андреев Б.А.1, Красильник З.Ф.1, Яблонский А.Н.1, Кузнецов В.П.2, Gregorkiewicz T.3, Klik M.A.J.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Van der Waals--Zeeman Institute, University of Amsterdam, NXE Amsterdam, The Netherlands
Email: yablonsk@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследованы спектры возбуждения эрбиевой фотолюминесценции в эпитаксиальных структурах Si : Er в широком диапазоне длин волн возбуждающего излучения (lambdaex=780-1500 nm). Во всех исследованных структурах наблюдался значительный сигнал эрбиевой фотолюминесценции при энергиях кванта, существенно меньших ширины запрещенной зоны кремния (lambda=1060 nm), в условиях отсутствия генерации экситонов. Обсуждается возможный механизм возбуждения ионов эрбия в кремнии без участия экситонов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 02-02-16773), INTAS (гранты N 01-0468, 01-0194) и NWO (грант N 047-009-013).