Вышедшие номера
Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире
Шенгуров В.Г.1, Павлов Д.А.1, Светлов С.П.1, Чалков В.Ю.1, Шиляев П.А.1, Степихова М.В.1, Красильникова Л.В.1, Дроздов Ю.Н.1, Красильник З.Ф.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Обсуждаются возможности получения методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) легированных эрбием кремниевых слоев на сапфировой подложке для оптоэлектронных приложений. Преимущество этого метода - относительно низкие температуры роста слоев. Показано, что с применением СМЛЭ можно выращивать кремниевые слои приемлемого кристаллического качества. Продемонстрировано влияние температуры роста не только на структуру слоев "кремний на сапфире", но и на кристаллографическую ориентацию выращенных слоев. Обсуждаются электрофизические параметры и люминесцентные свойства слоев. В структурах этого типа получена обусловленная эрбием интенсивная фотолюминесценция при 1.54 mum. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 04-02-17120) и INTAS (проект N 03-51-6486).