Структура, примесный состав и фотолюминесценция механически полированных слоев монокристаллического кремния
Баталов Р.И.1, Баязитов Р.М.1, Хуснуллин Н.М.2, Теруков Е.И.3, Кудоярова В.Х.3, Мосина Г.Н.3, Андреев Б.А.4, Крыжков Д.И.4
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
2Казанский государственный университет, Казань, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: bayaz@kfti.knc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Рассмотрено введение в монокристаллический кремний оптически активных дефектов (атомных кластеров, дислокаций, преципитатов) путем радиационных воздействий, пластической деформации или термической обработки как один из возможных подходов к созданию кремниевых структур, излучающих в ближней ИК-области. Дефекты вводились в кремний с помощью традиционной механической полировки пластин. Трансформация дефектной структуры и примесный состав нарушенных слоев кремния в процессе термического отжига (ТО) кристалла исследовались методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской флуоресценции. Оптические свойства дефектов исследовались с помощью фотолюминесценции (ФЛ) в ближней ИК-области при 77 K. Показано, что в результате ТО при температурах 850-1000oC имеет место трансформация дефектов, полученных при механической полировке, в дислокации и дислокационные петли, а также формирование преципитатов SiO2. В зависимости от температуры отжига в спектрах ФЛ преобладает вклад от окисных преципитатов либо дислокаций, декорированных атомами меди, геттерированными из объема кристалла. Работа выполнена при поддержке программы Отделения физических наук РАН "Новые материалы и структуры" и программы "Фундаментальные исследования и высшее образование" (BRHE REC-007).
- L. Pavesi. J. Phys.: Cond. Matter 15, R 1169 (2003)
- М.В. Бортник, В.Д. Ткачев, А.В. Юхневич. ФТП 1, 353 (1967)
- L.T. Canham, K.G. Barraclough, D.J. Robbins. Appl. Phys. Lett. 51, 1509 (1987)
- V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B 51, 10 520 (1995)
- E.O. Sveinbjorsson, J. Weber. Appl. Phys. Lett. 69, 2686 (1996)
- S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini. J. Appl. Phys. 92, 2437 (2002)
- A.J. Kenyon, E.A. Steinman, C.W. Pitt, D.E. Hole, V.I. Vdovin. J. Phys.: Cond. Matter 15, S 2843 (2003)
- Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Б.А. Андреев, Д.И. Крыжков, Е.И. Теруков, В.Х. Кудоярова. ФТП 37, 1427 (2003)
- V. Higgs, E.C. Lightowlers, G. Davies, F. Schaffler, E. Kasper. Semicond. Sci. Technol. 4, 593 (1989)
- V. Higgs, M. Goulding, A. Brinklow, P. Kightley. Appl. Phys. Lett. 60, 1369 (1992)
- T.J. Magee, C. Leung, H. Kawayoshi, B.K. Furman, C.A. Evans, jr. Appl. Phys. Lett. 39, 631 (1981)
- A.A. Istratov, H. Hieslmair, E.R. Weber. Appl. Phys. A 70, 489 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
