Рассмотрено введение в монокристаллический кремний оптически активных дефектов (атомных кластеров, дислокаций, преципитатов) путем радиационных воздействий, пластической деформации или термической обработки как один из возможных подходов к созданию кремниевых структур, излучающих в ближней ИК-области. Дефекты вводились в кремний с помощью традиционной механической полировки пластин. Трансформация дефектной структуры и примесный состав нарушенных слоев кремния в процессе термического отжига (ТО) кристалла исследовались методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской флуоресценции. Оптические свойства дефектов исследовались с помощью фотолюминесценции (ФЛ) в ближней ИК-области при 77 K. Показано, что в результате ТО при температурах 850-1000^oC имеет место трансформация дефектов, полученных при механической полировке, в дислокации и дислокационные петли, а также формирование преципитатов SiO₂. В зависимости от температуры отжига в спектрах ФЛ преобладает вклад от окисных преципитатов либо дислокаций, декорированных атомами меди, геттерированными из объема кристалла. Работа выполнена при поддержке программы Отделения физических наук РАН "Новые материалы и структуры" и программы "Фундаментальные исследования и высшее образование" (BRHE REC-007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.