Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия 
Email: steinman@issp.ac.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Рассматриваются перспективы использования длинноволновой линии дислокационной люминесценции D1 в светоизлучающих диодах, изготовленных в рамках кремниевых технологий. Стандартное спектральное положение этой линии 807 meV не является каноническим и зависит от морфологии дислокационной структуры и примесного окружения индивидуальных дислокаций. Проанализированы данные по спектральному распределению интенсивности люминесценции в области линии D1 в зависимости от концентрации межузельного кислорода в образцах, параметров пластической деформации и термической обработки. На основании этих данных сделан вывод об определяющем влиянии кислорода на спектральное положение и интенсивность люминесценции в области линии D1. Показано, что для описания вероятной структуры центров рекомбинации можно использовать модель донорно-акцепторных пар, где в качестве донора выступают кислородные комплексы, а в качестве акцептора - структурные дефекты в ядре дислокации. Работа поддержана грантами INTAS N 01-0194 и программой РАН "Новые материалы".
- L. Pavesi. J. Phys.: Cond. Matter 15, R 1169 (2003)
- V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B 51, 16, 10 520 (1995)
- Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма в ЖЭТФ 23, 651 (1976)
- M. Suesawa, Y. Sasaki, K. Sumino. Phys. Stat. Sol. (a) 79, 173 (1983)
- Yu. Lelikov, Yu. Rebane, S. Ruvimov, D. Tarhin, A. Sitnikova, Yu. Shreter. Proc. of the 10th Int. Conf. on Defects in Semiconductors / Ed. G. Davies, G.G. De Leo, M. Stavola. Trans. Tech, Zurich (1992). Mater. Sci. Forum 83-87, 1321 (1992)
- V. Higgs, E.C. Lightowlers, C.E. Norman, P.C. Kightley. Proc. the 10th Int. Conf. on Defects in Semiconductors / Ed. G. Davies, G.G. De Leo, M. Stavola. Trans. Tech, Zurich (1992). Mater. Sci. Forum 83-87, 1309 (1992)
- T. Sekiguchi, K. Sumino. J. Appl. Phys. 79, 3253 (1996)
- E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya. Semicond. Sci. Technol. 14, 6, 582 (1999)
- E.A. Steinman, V.V. Kveder, V.I. Vdovin, H.G. Grimmeiss. Solid State Phenomena 69-70, 23 (1999)
- S. Pizzini, M. Guzzi, E. Grilli, G. Borionetti. J. Phys.: Cond. Matter 12, 10 131 (2000)
- E.A. Steinman, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Technol. 13, 124 (1998)
- О.В. Конончук, В.И. Орлов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ФТП 30, 2, 256 (1996)
- Ю.А. Осипьян, А.М. Ртищев, Э.А. Штейнман. ФТТ 26, 1772 (1984)
- I. Yonenaga, K. Sumino. Proc. Yamada IX Conf. on Dislocations in Solids / Ed. H. Suzuki et al. Univ. Tokio Press, Tokio (1985). P. 385
- K. Sumino, H. Harada. Phil. Mag. A 44, 1319 (1981)
- I. Yonenaga, K. Sumino. J. Appl. Phys. 80, 2, 734 (1996)
- B. Ya. Farber, V.I. Nikitenko. Phys. Stat. Sol. (a) 73, k 141 (1982)
- А.Н. Изотов, Ю.А. Осипьян, Э.А. Штейнман. ФТТ 28, 1172 (1986)
- S. Sekader, A. Giannattasio, R.J. Falster, P.R. Wilshaw. Solid State Commun. 95-96, 43 (2004)
- A.J. Kenyon, E.A. Steinman, C.W. Pitt, D.E. Hole, V.I. Vdovin. J. Phys.: Cond. Matter 15, 39, 2843 (2003)
- M. Suesawa, K. Sumino. Phys. Stat. Sol. (a) 85, 469 (1984)
- U.O. Ziemelis, R.R. Parsons. Can. J. Phys. 59, 784 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
