Вышедшие номера
Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода
Штейнман Э.А.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: steinman@issp.ac.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Рассматриваются перспективы использования длинноволновой линии дислокационной люминесценции D1 в светоизлучающих диодах, изготовленных в рамках кремниевых технологий. Стандартное спектральное положение этой линии 807 meV не является каноническим и зависит от морфологии дислокационной структуры и примесного окружения индивидуальных дислокаций. Проанализированы данные по спектральному распределению интенсивности люминесценции в области линии D1 в зависимости от концентрации межузельного кислорода в образцах, параметров пластической деформации и термической обработки. На основании этих данных сделан вывод об определяющем влиянии кислорода на спектральное положение и интенсивность люминесценции в области линии D1. Показано, что для описания вероятной структуры центров рекомбинации можно использовать модель донорно-акцепторных пар, где в качестве донора выступают кислородные комплексы, а в качестве акцептора --- структурные дефекты в ядре дислокации. Работа поддержана грантами INTAS N 01-0194 и программой РАН "Новые материалы".
  1. L. Pavesi. J. Phys.: Cond. Matter 15, R 1169 (2003)
  2. V.V. Kveder, E.A. Steinman, S.A. Shevchenko, H.G. Grimmeiss. Phys. Rev. B 51, 16, 10 520 (1995)
  3. Н.А. Дроздов, А.А. Патрин, В.Д. Ткачев. Письма в ЖЭТФ 23, 651 (1976)
  4. M. Suesawa, Y. Sasaki, K. Sumino. Phys. Stat. Sol. (a) 79, 173 (1983)
  5. Yu. Lelikov, Yu. Rebane, S. Ruvimov, D. Tarhin, A. Sitnikova, Yu. Shreter. Proc. of the 10th Int. Conf. on Defects in Semiconductors / Ed. G. Davies, G.G. De Leo, M. Stavola. Trans. Tech, Zurich (1992). Mater. Sci. Forum 83-87, 1321 (1992)
  6. V. Higgs, E.C. Lightowlers, C.E. Norman, P.C. Kightley. Proc. the 10th Int. Conf. on Defects in Semiconductors / Ed. G. Davies, G.G. De Leo, M. Stavola. Trans. Tech, Zurich (1992). Mater. Sci. Forum 83-87, 1309 (1992)
  7. T. Sekiguchi, K. Sumino. J. Appl. Phys. 79, 3253 (1996)
  8. E.A. Steinman, V.I. Vdovin, T.G. Yugova, V.S. Avrutin, N.F. Izyumskaya. Semicond. Sci. Technol. 14, 6, 582 (1999)
  9. E.A. Steinman, V.V. Kveder, V.I. Vdovin, H.G. Grimmeiss. Solid State Phenomena 69-70, 23 (1999)
  10. S. Pizzini, M. Guzzi, E. Grilli, G. Borionetti. J. Phys.: Cond. Matter 12, 10 131 (2000)
  11. E.A. Steinman, H.G. Grimmeiss. Semicond. Sci. Technol. 13, 124 (1998)
  12. О.В. Конончук, В.И. Орлов, О.В. Феклисова, Е.Б. Якимов, Н.А. Ярыкин. ФТП 30, 2, 256 (1996)
  13. Ю.А. Осипьян, А.М. Ртищев, Э.А. Штейнман. ФТТ 26, 1772 (1984)
  14. I. Yonenaga, K. Sumino. Proc. Yamada IX Conf. on Dislocations in Solids / Ed. H. Suzuki et al. Univ. Tokio Press, Tokio (1985). P. 385
  15. K. Sumino, H. Harada. Phil. Mag. A 44, 1319 (1981)
  16. I. Yonenaga, K. Sumino. J. Appl. Phys. 80, 2, 734 (1996)
  17. B. Ya. Farber, V.I. Nikitenko. Phys. Stat. Sol. (a) 73, k 141 (1982)
  18. А.Н. Изотов, Ю.А. Осипьян, Э.А. Штейнман. ФТТ 28, 1172 (1986)
  19. S. Sekader, A. Giannattasio, R.J. Falster, P.R. Wilshaw. Solid State Commun. 95-96, 43 (2004)
  20. A.J. Kenyon, E.A. Steinman, C.W. Pitt, D.E. Hole, V.I. Vdovin. J. Phys.: Cond. Matter 15, 39, 2843 (2003)
  21. M. Suesawa, K. Sumino. Phys. Stat. Sol. (a) 85, 469 (1984)
  22. U.O. Ziemelis, R.R. Parsons. Can. J. Phys. 59, 784 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.