Вышедшие номера
Влияние сурьмы на морфологию и свойства массива Ge / Si(100)-квантовых точек
Цырлин Г.Э.1,2,3, Тонких А.А.1,2,3, Птицын В.Э.1, Дубровский В.Г.2, Масалов С.А.2, Евтихиев В.П.2, Денисов Д.В.2, Устинов В.М.2, Werner P.3
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
Email: cirlin@beam.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Методами дифракции быстрых электронов на отражение и атомно-силовой микроскопии исследованы морфологические особенности формирования квантовых точек в системе (Ge,Sb) / Si при молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что в случае одновременного напыления Ge и Sb происходит увеличение плотности и однородности наноостровков по сравнению со случаем напыления чистого Ge. Закономерности образования островков обсуждаются с точки зрения теории формирования островков в системах, рассогласованных по параметру решетки. Проведено исследование полевых эмиссионных свойств полученных объектов с помощью сканирующего электронного микроскопа. Оценка приведенной яркости для (Ge,Sb) / Si-наноструктур дает величину B~ 105 A/(cm2·sr·V), что на порядок превышает значение этой величины для Шоттки-катодов. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Министерства науки и образования, Российской академии наук, а также Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-16374). Г.Э. Цырлин выражает признательность Alexander von Humboldt Stiftung, А.А. Тонких благодарит фонд DFG.