Вышедшие номера
Фотопроводимость структур Si / Ge / SiOx и Si / Ge / Si с квантовыми точками германия
Шегай О.А.1, Березовский А.Ю.1, Никифоров А.И.1, Ульянов В.В.1
1Объединенный институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: shegai@thermo.isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Обнаружено немонотонное поведение латеральной фотопроводимости (ФП) при изменении интенсивности межзонного света в структурах Si / Ge / Si и Si / Ge / SiOx с самоорганизующимися квантовыми точками (КТ) германия, когда наряду со ступенчатым ростом ФП наблюдается и ступенчатое уменьшение ФП. Изучено влияние температуры измерений и тянущего поля на данные особенности ФП для структур обоих типов с наибольшей номинальной толщиной слоя Ge (NGe). Полученные результаты обсуждаются в рамках теории протекания неравновесных носителей заряда, локализованных в различных областях структуры: электронов в матрице кремния и дырок в КТ. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16466, 03-02-16468).
  1. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 1281 (2000)
  2. O.A. Shegai, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, A.S. Shaimuratova, K.S. Zhuravlev. Phys. Low-Dim. Struct. 1 / 2, 261 (2002)
  3. О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, А.Ш. Шаймуратова. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 192 (2003)
  4. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). С. 145

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.