Фотопроводимость структур Si / Ge / SiOx и Si / Ge / Si с квантовыми точками германия
Шегай О.А.1, Березовский А.Ю.1, Никифоров А.И.1, Ульянов В.В.1
1Объединенный институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: shegai@thermo.isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Обнаружено немонотонное поведение латеральной фотопроводимости (ФП) при изменении интенсивности межзонного света в структурах Si / Ge / Si и Si / Ge / SiOx с самоорганизующимися квантовыми точками (КТ) германия, когда наряду со ступенчатым ростом ФП наблюдается и ступенчатое уменьшение ФП. Изучено влияние температуры измерений и тянущего поля на данные особенности ФП для структур обоих типов с наибольшей номинальной толщиной слоя Ge (NGe). Полученные результаты обсуждаются в рамках теории протекания неравновесных носителей заряда, локализованных в различных областях структуры: электронов в матрице кремния и дырок в КТ. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 03-02-16466, 03-02-16468).
- О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 1281 (2000)
- O.A. Shegai, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, A.S. Shaimuratova, K.S. Zhuravlev. Phys. Low-Dim. Struct. 1 / 2, 261 (2002)
- О.А. Шегай, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров, А.Ш. Шаймуратова. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 192 (2003)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). С. 145
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук