Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние предосаждения Si_1-xGe_x слоя на рост SiGe/Si(001) самоформирующихся островков

Востоков Н.В.¹, Дроздов Ю.Н.¹, Красильник З.Ф.¹, Лобанов Д.Н.¹, Новиков А.В.¹, Яблонский А.Н.¹, Stoffel M.², Denker U.², Schmidt O.G.², Горбенко О.М.³, Сошников И.П.⁴

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung, Stuttgart, Germany
³Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

Institute for Analytical Instrumentation of the Russian Academy of Sciences, Saint Petersburg, Russia

⁴Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: dima@ipm.sci-nnov.ru

Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован рост Ge(Si) самоформирующихся островков на напряженном Si_1-xGe_x слое (0<x<20%). Обнаружено, что размеры и поверхностная плотность островков увеличиваются с ростом содержания Ge в Si_1-xGe_x слое. Рост поверхностной плотности островков связывается с увеличением шероховатости поверхности после осаждения SiGe слоя. Рост размеров островков объясняется уменьшением толщины смачивающего слоя, которое вызвано дополнительной упругой энергией, накопленной в SiGe слое, и увеличением диффузии Si из Si_1-xGe_x слоя в островки. Увеличение доли поверхности, занятой островками, приводит к большему упорядочению взаимного расположения островков. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16792 и 02-02-17846-а), INTAS NANO N 01-444 и BRHE Program.

B. Voigtlander. Surf. Sci. Rep. 43, 127 (2001)
U. Denker, M. Stoffel, O.G. Schmidt, H. Sigg. Appl. Phys. Lett. 82, 454 (2003)
B. Cho, T. Schwartz-Selinger, K. Ohmori, David G. Cahill. Phys. Rev. B 66, 195 407 (2002)
P. Sutter, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett. 84, 4637 (2000)
N.V. Vostokov, S.A. Gusev, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, N. Mesters, M. Miura, L.D. Moldavskaya, A.V. Novikov, J. Pascual, V.V. Postnikov, Y. Shiraki, V.A. Yakhimchuk, N. Usami, M.Ya. Valakh. Phys. Low-Dim. Struct. 3/4, 295 (2001)
M. Meixner, E. Scholl, M. Schmidbauer, H. Raidt, R. Koler. Phys. Rev. B 64, 245 307 (2001)
Christian Teichert. Phys. Rep. 365, 335 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель