На основании расчетов структуры размерно-квантованной валентной зоны Ge в слое с ориентацией (111) показано, что эффективная масса, описывающая движение дырок вдоль слоя, почти на порядок меньше, чем масса тяжелых дырок вдоль [111] в объемном материале, которая ответственна за формирование в этом слое уровней размерного квантования. В результате реализуется заполнение многих подзон при умеренных толщинах слоя и концентрациях дырок p_s. Опустошение двух или более верхних подзон в слое Ge толщиной 38 nm при p_s=5·10¹⁵ m^-2 наблюдалось при измерении магнитосопротивления в сильном магнитном поле, ориентированном параллельно слоям, тогда как исчезновение состояния квантового эффекта Холла при факторе заполнения nu=1 указывает на слияние двух нижних подзон в самоформирующемся профиле потенциала двойной квантовой ямы. Показано, что в дырочном газе последний эффект должен быть чувствительным к деформации слоя. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 02-02-16401 и 04-02-614), а также программы РАН "Физика твердотельных наноструктур".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.