Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электролюминесценция ионов Er³⁺ в режиме пробоя диодной структуры p⁺-Si/n-Si : Er/n⁺-Si

Шмагин В.Б.¹, Ремизов Д.Ю.¹, Оболенский С.В.¹, Крыжков Д.И.¹, Дроздов М.Н.¹, Красильник З.Ф.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: shm@ipm.sci-nnov.ru

Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электролюминесцентные свойства диодных светоизлучающих структур типа p⁺-Si/n-Si : Er/n⁺-Si, в которых тонкий слаболегированный слой n-Si : Er (N_D~ 10¹⁶ cm^-3) заключен между высоколегированными слоями кремния. Показано, что максимальная интенсивность ЭЛ ионов Er³⁺ достигается в структурах, работающих в режиме смешанного пробоя области пространственного заряда. Определена ширина "темновой" области (d_dark~ 0.015-0.02 mum), в пределах которой электроны набирают энергию, необходимую для возбуждения ионов Er³⁺. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (N 02-02-16773, 04-02-17120), INTAS (N 01-0194, 03-51-6486).

G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett. 64, 17, 2235 (1994)
N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett. 71, 14, 1930 (1997)
В.Б. Шмагин, Д.Ю. Дроздов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов. ФТТ 46, 1, 110 (2004)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Ч. 1. С. 113
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП 34, 5, 519 (2000)
Е.Н. Морозова, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 2, 283 (2003)
В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов. Томск (1989)
M. Markmann, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett. 78, 2, 210 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель