Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии

Кузнецов В.П.¹, Рубцова Р.А.¹, Шабанов В.Н.¹, Касаткин А.П.¹, Седова С.В.¹, Максимов Г.А.¹, Красильник З.Ф.¹, Демидов Е.В.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Определена холловская подвижность электронов и металлографическим методом исследована плотность дефектов кристаллической структуры в слоях Si : Er, выращенных при температурах 520-580^oC с помощью сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Введение эрбия в слои Si до концентрации ~5·10¹⁸ cm^-3 не сопровождалось увеличением плотности дефектов, но приводило к значительному уменьшению подвижности электронов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439, 02-02-16773) и Минпромнауки РФ (госконтракты N 40.020.I.I.II61, 40.020.I.I.II59).

H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axman. Appl. Phys. Lett. 43, 10, 943 (1983)
Н.А. Соболев. ФТП 29, 7, 1153 (1995).
G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys. 81, 6, 2784 (1997)
S. Coffa, J. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita. Appl. Phys. Lett. 73, 1, 93 (1998)
Y. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett. 68, 23, 3290 (1996)
K. Serna, Jung H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F. Alkemade. J. Appl. Phys. 79, 5, 2653 (1996)
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП 34, 5, 519 (2000)
Е.Н. Морозова, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 2, 283 (2003)
О.В. Александров, А.О Захарьин, Н.А. Соболев, Ю.А. Николаев. ФТП 36, 3, 379 (2002)
M. Stepikhova, B. Andreev, V. Shmagin, Z. Krasil'nik, N. Alyabina, V. Chalkov, V. Kuznetsov, V. Shabanov, V. Shengurov, S. Svetlov, E. Uskova, N. Sobolev, A. Emel'yanov, O. Gusev, P. Pak. Матер. совещ. "Нанофотоника". Н. Новгород (2001). С. 265
В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.В. Постников. Кристаллография 16, 2, 432 (1971)
М.Г. Мильвидский, О.Г. Столяров, А.В. Беркова. ФТТ 6, 12, 3259 (1964)
T.S. Glowinke, J.B. Wagner. J. Phys. Chem. Sol. 38, 9, 963 (1977)
P.P. Debye, T. Kohane. Phys. Rev. 94, 3, 724 (1954)
А.М. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Гос. изд-во физ.-мат. лит., М.--Л. (1962). С. 305
П.М. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Наук. думка, Киев (1975). С. 157, 243
C. Erginsoy. Phys. Rev. 79, 6, 1013 (1950)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель