Вышедшие номера
Дефекты кристаллической структуры и холловская подвижность электронов в слоях Si : Er / Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Кузнецов В.П.1, Рубцова Р.А.1, Шабанов В.Н.1, Касаткин А.П.1, Седова С.В.1, Максимов Г.А.1, Красильник З.Ф.1, Демидов Е.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Определена холловская подвижность электронов и металлографическим методом исследована плотность дефектов кристаллической структуры в слоях Si : Er, выращенных при температурах 520-580oC с помощью сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Введение эрбия в слои Si до концентрации ~5·1018 cm-3 не сопровождалось увеличением плотности дефектов, но приводило к значительному уменьшению подвижности электронов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 01-02-16439, 02-02-16773) и Минпромнауки РФ (госконтракты N 40.020.I.I.II61, 40.020.I.I.II59).
  1. H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axman. Appl. Phys. Lett. 43, 10, 943 (1983)
  2. Н.А. Соболев. ФТП 29, 7, 1153 (1995).
  3. G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella. J. Appl. Phys. 81, 6, 2784 (1997)
  4. S. Coffa, J. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita. Appl. Phys. Lett. 73, 1, 93 (1998)
  5. Y. Stimmer, A. Reittinger, J.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett. 68, 23, 3290 (1996)
  6. K. Serna, Jung H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P.F. Alkemade. J. Appl. Phys. 79, 5, 2653 (1996)
  7. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП 34, 5, 519 (2000)
  8. Е.Н. Морозова, В.Б. Шмагин, З.Ф. Красильник, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. Изв. РАН. Сер. физ. 67, 2, 283 (2003)
  9. О.В. Александров, А.О Захарьин, Н.А. Соболев, Ю.А. Николаев. ФТП 36, 3, 379 (2002)
  10. M. Stepikhova, B. Andreev, V. Shmagin, Z. Krasil'nik, N. Alyabina, V. Chalkov, V. Kuznetsov, V. Shabanov, V. Shengurov, S. Svetlov, E. Uskova, N. Sobolev, A. Emel'yanov, O. Gusev, P. Pak. Матер. совещ. "Нанофотоника". Н. Новгород (2001). С. 265
  11. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.В. Постников. Кристаллография 16, 2, 432 (1971)
  12. М.Г. Мильвидский, О.Г. Столяров, А.В. Беркова. ФТТ 6, 12, 3259 (1964)
  13. T.S. Glowinke, J.B. Wagner. J. Phys. Chem. Sol. 38, 9, 963 (1977)
  14. P.P. Debye, T. Kohane. Phys. Rev. 94, 3, 724 (1954)
  15. А.М. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Гос. изд-во физ.-мат. лит., М.--Л. (1962). С. 305
  16. П.М. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник. Наук. думка, Киев (1975). С. 157, 243
  17. C. Erginsoy. Phys. Rev. 79, 6, 1013 (1950)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.