О влиянии процесса коалесценции и характера исходного оксида на фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO2
Тетельбаум Д.И.1, Горшков О.Н.1, Касаткин А.П.1, Михайлов А.Н.1, Белов А.И.1, Гапонова Д.М.2, Морозов С.В.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: Tetelbaum@phys.unn.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Экспериментально и теоретически исследована зависимость интенсивности фотолюминесценции (ИФЛ), связанной с нанокристаллами Si, от дозы ионов Si+ при различных температурах отжига Tann (1000-1200oC) для системы SiO2 : nc-Si, синтезированной методом ионной имплантации. Установлено, что доза, соответствующая максимальной ИФЛ, уменьшается с ростом Tann. Эти данные объясняются на основе модели, учитывающей коалесценцию соседних нанокристаллов и зависимость вероятности излучательной рекомбинации квантовых точек от их размера. Обнаружено, что при использовании оксида кремния, выращенного во влажной атмосфере, в спектре фотолюминесценции присутствует дополнительная полоса (в районе 880 nm), наличие которой связывается с оболочкой, окружающей нанокристаллы. Данная полоса резко ослабляется при высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере (на воздухе). Работа выполнена при поддержке программы Минобразования РФ "Научные исследования высшей школы в приоритетных направлениях науки и техники" (подпрограммы N 205), совместной программы Минобразования РФ и фонда CRDF BRHE NN-001-01, программы FP6 STREP N 505285-1, гранта INTAS N 00-0064.
- D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, S.A. Trushin, D.G. Revin, D.M. Gaponova, W. Eckstein. Nanotechnology 11, 295 (2000)
- B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys. 91, 2, 798 (2002)
- W. Ostwald. Z. Phys. Chem. 34, 495 (1900)
- C. Bonafos, B. Colombeau, A. Altibelli, M. Carrada, G. Ben Assayag, B. Carrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, A. Claverie. Nucl. Instr. Meth. B 178, 17 (2001)
- K.S. Zhuravlev, A.M. Gilinsky, A.Yu. Kobitsky. Appl. Phys. Lett. 37, 20, 2962 (1998)
- D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, V.A. Burdov, A.I. Golovanov, D.G. Revin, D.M. Gaponova. Nucl. Instr. Meth. B 174, 123 (2001)
- D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasil'ev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova. Physica E 16, 3--4, 410 (2003)
- S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, D.G. Revin, D.M. Gaponova. Surf. Coat. Tech. 158--159, 717 (2002)
- И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ 35, 2, 479 (1958)
- В.А. Беляков, В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин. ФТТ 46, 1, 31 (2004)
- G.A. Kachurin, I.E. Tischenko, K.S. Zhuravlev, N.A. Pazdnikov, V.A. Volodin, A.K. Gutakovsky, A.F. Leiser, W. Skorupa, R.A. Yankov. Nucl. Instr. Meth. B 122, 571 (1997)
- L.A. Balagurov, B.M. Leiferov, E.A. Petrova, A.F. Orlov, E.M. Panasenko. J. Appl. Phys. 79, 7143 (1996)
- K.S. Min, K.V. Scheglov, C.M. Yang, H.A. Atwater, M.L. Brongersma, A. Polman. Appl. Phys. Lett. 69, 2033 (1996)
- T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, R. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys. 75, 7779 (1994)
- Y. Kanemitsu, S. Okamato. Phys. Rev. B 58, 9652 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.