Показана возможность простой технологии формирования соединения форстерита с примесными ионами Cr⁴⁺ в структурах на основе Si, представляющих интерес в связи с характерной люминесценцией в ближнем ИК-диапазоне. Форстерит формировался пропиткой слоев пористого кремния (ПК) на n⁺- и p⁺-Si подложках с последующим отжигом на воздухе. Отчетливый фотолюминесцентный отклик при 1.15 mum получен при комнатной температуре в слоях ПК с магнием и хромом, для которых оптимальная температура отжига близка к 700^oC. Для ПК на p⁺-кремнии выявлена широкая линия фотолюминесценции около 1.2 mum, которая не зависит от температуры отжига и содержания магния и хрома. Эта линия, вероятно, обусловлена дислокациями кремния. Обсуждаются исследования ЭПР и электрофизических свойств структур. В слоях чистого ПК и ПК, легированного хромом, на n⁺-Si подложках наблюдались признаки дискретного туннелирования электронов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.