Вышедшие номера
Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние условий эпитаксиального роста на концентрацию примесей и фотолюминесценцию
Соболев Н.А.1, Денисов Д.В.1, Емельянов А.М.1, Шек Е.И.1, Бер Б.Я.1, Коварский А.П.1, Сахаров В.И.1, Серенков И.Т.1, Устинов В.М.1, Цырлин Г.Э.1, Котерева Т.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: nick@sobolev.ioffe.rssi.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследована технология и свойства светоизлучающих структур на основе легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста слоев кремния. В процессе эпитаксии на подложках, изготовленных из выращенного методом Чохральского кремния, происходит легирование растущего слоя примесями кислорода и углерода. Это позволяет упростить процесс легирования слоя Si : Er примесями-активаторами люминесценции, исключив встраивание в ростовую камеру специального капилляра для введения их из газовой фазы. В фотолюминесцентных спектрах всех исследуемых слоев при 78 K доминирует Er-содержащий центр с длиной волны в максимуме излучения 1.542 mum. Зависимости интенсивности этой линии в исследуемых интервалах температур подложки (400--700oC) и источника примеси эрбия (740-800oC) представляют собой кривые с максимумами. Наблюдавшиеся в спектрах ФЛ линии краевой люминесценции и P-линия главным образом возбуждаются в подложке. Измеренная методом обратного резерфордовского рассеяния протонов концентрация атомов эрбия в выращенных при температуре подложки 600oC эпитаксиальных слоях характеризуется экспоненциальной зависимостью от температуры источника эрбия с энергией активации ~ 2.2 eV. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 04-02-16935) и Отделением физических наук РАН в рамках Научной программы "Новые материалы и структуры".
  1. Н.А. Соболев. ФТП 29, 1153 (1995)
  2. DIN 50 438. Pt 1 (1993)
  3. ASTM F1391-92 (1992). P. 646
  4. H. Efeoglu, J.H. Evans, T.E. Jackman, B. Hamilton, D.C. Houghton, J.M. Langer, A.R. Peaker, D. Perovic, I. Poole, N. Ravel, P. Hemment, C.W. Chen. Semicond. Sci. Technol. 8, 236 (1993)
  5. J. Michel, J.L. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys. 70, 5, 2672 (1991)
  6. F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, B. Bellany. J. Appl. Phys. 74, 8, 4936 (1993)
  7. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Е.А. Ускова, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова. Изв. РАН Сер. физ. 64, 2, 353 (2000)
  8. N.S. Minaev, A.V. Mudryi. Phys. Stat. Sol. (a) 68, 561 (1981)
  9. G. Davies. Phys. Rep. 176, 176 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.